型号：RQ5H020SP
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：19A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：5.3mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5V：6.8mΩ
　　阈值电压VGS(th) typ：0.7V
　　输入电容Ciss typ：1070pF
　　输出电容Coss typ：370pF
　　反向传输电容Crss typ：90pF
　　栅极电荷Qg typ @ 4.5V：8.5nC
　　功率耗散PD max：2.5W
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C 至 +150°C
　　封装：PowerPAK SO-8L

RQ5H020SP采用高性能沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，在低电压应用场景下表现出卓越的导通效率。其典型RDS(on)值在VGS=4.5V时仅为5.3mΩ，这意味着在大电流工作条件下，器件的导通损耗极低，从而减少了发热并提高了系统整体能效。这种低RDS(on)特性使其非常适合用于电池供电设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备，有助于延长电池续航时间。
　　该器件还具备出色的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg typ=8.5nC）和输入电容（Ciss=1070pF），可以在高频PWM控制下实现快速开启与关断，减少开关过程中的能量损耗。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要，因为它允许使用更小的滤波元件，进而缩小电源模块体积。同时，低反向传输电容（Crss=90pF）有效抑制了米勒效应，提升了器件在高速切换状态下的抗干扰能力，避免误触发导致的短路风险。
　　RQ5H020SP的阈值电压较低（典型值0.7V），支持低压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或甚至更低电压的微控制器输出，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了系统设计，也降低了整体成本。其额定漏极电流高达19A连续电流和76A脉冲电流，足以应对瞬态过载工况，如电机启动或热插拔事件中的浪涌电流。
　　该MOSFET采用PowerPAK SO-8L封装，底部带有裸露焊盘，可通过PCB散热路径高效导出热量，增强热稳定性。即使在高功率密度环境下，也能维持较低的结温上升，确保长期运行可靠性。此外，器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备良好的抗湿性、抗振动性和长期耐久性，适用于车载电子系统中的电源分配与负载控制。整体而言，RQ5H020SP是一款集低损耗、高效率、高集成度于一体的先进功率MOSFET解决方案。

RQ5H020SP主要应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电源管理系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中作为主开关管或整流管使用，以提升转换效率并减小发热；在电池供电设备中，如移动终端、可穿戴设备和便携式仪器，用作电池保护电路或负载开关，实现精确的电源通断控制；在电机驱动电路中，作为H桥或半桥结构中的功率开关，驱动小型直流电机或步进电机；还可用于热插拔控制器、LED驱动电源以及各类工业控制模块中的功率切换环节。
　　由于其支持低电压驱动（兼容2.5V~3.3V逻辑电平），RQ5H020SP特别适合嵌入式系统中由微处理器直接控制的场合，无需外加驱动芯片即可完成高速开关动作。此外，在多相电压调节模块（VRM）中也可作为并联使用的功率单元之一，分担电流负载，提升系统冗余性与稳定性。该器件同样适用于USB PD快充协议下的电源路径管理，配合控制器实现动态电压调节与过流保护功能。凭借其优异的热性能和紧凑封装，RQ5H020SP在高密度PCB设计中展现出明显优势，是现代高效电源架构中的理想选择。

RQ5E025SP,RQ5D025SP,SISS025DN