型号：DMT4002LPS-13
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-5.4A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-16A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：26mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：500pF（@VDS=-10V）
　　开启延迟时间(td(on))：9ns
　　关断延迟时间(td(off))：18ns
　　反向恢复时间(trr)：14ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

DMT4002LPS-13具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=-4.5V时仅为22mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间并减少发热问题。
　　该器件还表现出良好的栅极驱动兼容性，能够在低至-2.5V的栅源电压下有效导通，支持逻辑电平驱动，使得它可以无缝集成到由3.3V或更低电压供电的数字控制系统中，例如微控制器GPIO输出可直接驱动该MOSFET，简化了外围电路设计。
　　此外，DMT4002LPS-13具有较快的开关速度，开启延迟时间为9ns，关断延迟时间为18ns，结合较小的输入电容（典型值500pF），使其适用于高频开关应用，如同步整流和高速负载切换。其反向恢复时间较短（14ns），减少了体二极管在反向恢复过程中的能量损耗，提升了在桥式或半桥拓扑中的表现。
　　从可靠性角度看，该MOSFET的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境条件下稳定运行，适合工业级应用场景。同时，SOT-23封装不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，配合合理的PCB布局可实现高效热管理。
　　器件制造采用先进的沟槽技术，优化了载流子迁移路径，进一步降低导通电阻并提高电流密度。其结构设计还增强了抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护能力，提升了长期使用的安全性和耐用性。总体而言，DMT4002LPS-13是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的P沟道MOSFET，特别适合对尺寸和效率有严格要求的应用场景。

DMT4002LPS-13广泛应用于多种电源管理和开关控制场景。在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，常被用作电池供电系统的负载开关或电源路径管理元件，利用其低RDS(on)特性来最小化压降和功耗，从而提升能效和电池寿命。
　　在DC-DC转换器中，特别是降压（Buck）变换器的同步整流部分，该器件可用作高端或低端开关，尤其是在低电压输入（如5V或3.3V系统）环境中表现出色。其快速开关响应和低导通损耗有助于提高转换效率，并减少对外部散热措施的需求。
　　该MOSFET还可用于电机驱动电路中的H桥或半桥配置，控制直流电机或步进电机的方向与启停。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由MCU输出引脚控制，简化驱动电路设计，降低整体方案复杂度。
　　在热插拔电路和电源多路复用系统中，DMT4002LPS-13可用于实现平稳上电和防倒灌功能，防止电源反向流动造成损坏。其快速关断能力确保在故障发生时能够迅速切断电流路径，保护后级电路。
　　此外，该器件也适用于LED驱动、传感器电源控制、USB电源开关以及各类模拟开关应用。在通信模块和IoT设备中，常用于隔离不同电源域或启用/禁用特定功能模块以实现节能待机模式。凭借其小尺寸封装和高可靠性，DMT4002LPS-13已成为众多嵌入式系统设计师在中小功率开关应用中的首选器件之一。

DMG2302LVT-7
　　AO3415
　　FDD8447L
　　BSS84