时间：2025/9/1 9:02:32
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IS61LV2568L-8T是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），由Integrated Silicon Solution（ISSI）公司制造。该器件属于高速CMOS SRAM系列，广泛应用于需要快速数据存取和低功耗的嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品中。
容量：256K x 8位
组织结构：256K地址，每个地址8位数据
电源电压：3.3V（VDD）
访问时间：8 ns
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装引脚数：54引脚
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
工作模式：异步模式
读写控制：支持片选（CE）、输出使能（OE）、写使能（WE）控制
功耗：典型工作电流约100 mA，待机电流低至10 mA
IS61LV2568L-8T具有高速访问时间（8ns），能够满足高性能系统对内存响应速度的需求。该芯片采用CMOS技术，具备较低的功耗，适合电池供电和对功耗敏感的应用场景。其异步工作模式支持标准的SRAM接口，便于与多种控制器和微处理器集成。此外，该SRAM支持独立的读写操作，具有较高的灵活性和稳定性。封装方面采用54引脚TSOP，体积小且适合高密度PCB布局。工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业环境中稳定运行。
该器件还具备较高的抗干扰能力，输入/输出端口具备驱动能力调节功能，可适应不同的系统需求。同时，其低待机电流设计在系统空闲时有效降低能耗，延长设备使用时间。IS61LV2568L-8T还支持高速地址访问和数据读写，适用于需要快速响应的缓存或数据存储应用。
IS61LV2568L-8T常用于工业控制设备，如PLC、嵌入式控制器和数据采集系统；通信设备如网络交换机、路由器和无线基站；消费类电子产品如数字电视、机顶盒和游戏设备；以及汽车电子系统如车载导航和信息娱乐系统。它也适用于图像处理、实时数据缓存、缓冲存储器等高性能存储应用场景。
CY62148E-V33LLX, AS7C3256-10TC, IDT71V416S
