IS61LV2568L-8T是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由Integrated Silicon Solution(ISSI)公司制造。该器件属于高速CMOS SRAM系列,广泛应用于需要快速数据存取和低功耗的嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品中。
容量:256K x 8位
组织结构:256K地址,每个地址8位数据
电源电压:3.3V(VDD)
访问时间:8 ns
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
封装引脚数:54引脚
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
工作模式:异步模式
读写控制:支持片选(CE)、输出使能(OE)、写使能(WE)控制
功耗:典型工作电流约100 mA,待机电流低至10 mA
IS61LV2568L-8T具有高速访问时间(8ns),能够满足高性能系统对内存响应速度的需求。该芯片采用CMOS技术,具备较低的功耗,适合电池供电和对功耗敏感的应用场景。其异步工作模式支持标准的SRAM接口,便于与多种控制器和微处理器集成。此外,该SRAM支持独立的读写操作,具有较高的灵活性和稳定性。封装方面采用54引脚TSOP,体积小且适合高密度PCB布局。工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在工业环境中稳定运行。
该器件还具备较高的抗干扰能力,输入/输出端口具备驱动能力调节功能,可适应不同的系统需求。同时,其低待机电流设计在系统空闲时有效降低能耗,延长设备使用时间。IS61LV2568L-8T还支持高速地址访问和数据读写,适用于需要快速响应的缓存或数据存储应用。
IS61LV2568L-8T常用于工业控制设备,如PLC、嵌入式控制器和数据采集系统;通信设备如网络交换机、路由器和无线基站;消费类电子产品如数字电视、机顶盒和游戏设备;以及汽车电子系统如车载导航和信息娱乐系统。它也适用于图像处理、实时数据缓存、缓冲存储器等高性能存储应用场景。
CY62148E-V33LLX, AS7C3256-10TC, IDT71V416S