型号：RQ5E035BN
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：70 A
　　脉冲漏极电流IDM：280 A
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：3.5 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：5.0 mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：43 nC
　　输入电容Ciss（典型值）：3320 pF
　　开启延迟时间td(on)：10 ns
　　关断延迟时间td(off)：22 ns
　　反向恢复时间trr：18 ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 (5mm x 6mm)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RQ5E035BN采用了瑞萨先进的沟槽栅硅工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其最大静态漏源导通电阻在VGS = 10V时仅为3.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，这显著降低了传导过程中的功率损耗，提升了整体系统效率。尤其在大电流应用如同步整流或电池供电系统中，低RDS(on)有助于减少发热，提升能量利用率。同时，该器件在较低的驱动电压下仍能保持良好性能，例如在VGS = 4.5V时，RDS(on)最大值为5.0mΩ，表明其兼容现代低压逻辑控制器和PWM控制IC，适用于由3.3V或5V驱动的数字电源系统。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg典型值为43nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动功率较小，从而减轻了栅极驱动电路的负担，并有助于实现更高的开关频率而不会显著增加开关损耗。结合其输入电容Ciss为3320pF，使得该器件在硬开关拓扑如Buck、Boost及半桥结构中表现出色。此外，较短的开启延迟时间（10ns）和关断延迟时间（22ns）保证了快速响应能力，有利于精确控制开关时序，提高电源动态响应速度。
　　器件内置良好的体二极管特性，反向恢复时间trr为18ns，属于较快水平，可有效降低反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。这一特性对于需要频繁进行续流操作的电路尤为重要，比如在DC-DC变换器中作为下管使用时，能够减小开关节点振荡，提升系统稳定性。同时，RQ5E035BN具备较强的雪崩耐量，能够在瞬态过压事件中提供一定自我保护能力，增强整个电源系统的可靠性。其工作结温范围从-55℃到+150℃，支持极端温度环境下的稳定运行，特别适用于工业与汽车级应用场景。采用PowerFLAT 5x6封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB大面积铺铜实现高效散热，进一步提升功率密度。

RQ5E035BN广泛应用于各类中高功率密度的电源系统中。典型用途包括但不限于：高性能DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器，尤其是在服务器电源、通信设备电源模块以及嵌入式系统中用作主开关或同步整流开关；在电机驱动电路中作为H桥结构中的功率开关元件，用于控制直流电机或步进电机的正反转与调速；在电池管理系统（BMS）中用于充放电路径的通断控制，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，可有效降低功耗并提升续航表现；此外，该器件也被广泛用于笔记本电脑适配器、便携式储能电源、LED驱动电源等消费类电子产品中。
　　得益于其通过AEC-Q101认证，RQ5E035BN还适用于汽车电子领域，例如车载信息娱乐系统电源、车身控制模块、电动助力转向（EPS）系统的辅助电源部分以及车载充电机（OBC）中的次级侧同步整流。在工业自动化设备中，它可用于PLC电源单元、工业传感器供电模块以及隔离式电源的副边整流环节。其小型化封装和优异的热性能使其非常适合空间受限但要求高可靠性的应用场合。无论是连续高负载运行还是间歇性峰值电流冲击，RQ5E035BN均能提供稳定的电气性能和长久的使用寿命，是现代高效能电源设计中的理想选择。

RJK0353DPB
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