RQ3G100GN 时间：2025/12/25 13:19:23 阅读：17

RQ3G100GN是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高性能电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极制造工艺，能够在低电压条件下实现优异的导通性能与开关效率，适用于高密度、高能效的电源转换系统。RQ3G100GN因其出色的热稳定性和可靠性，被广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信基础设施中。
　　RQ3G100GN封装在小型化且具有良好散热特性的PowerFLAT 3.3x3.3mm或类似封装中，有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。其内部结构优化了寄生参数，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），从而提高了系统的整体能效。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，适合用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机驱动等多种拓扑结构中。

参数

型号：RQ3G100GN
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：8.5 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：34 A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.3 V（典型值）
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：100 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：130 mΩ
　　输入电容（Ciss）：620 pF @ VDS = 50V
　　输出电容（Coss）：110 pF @ VDS = 50V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（PD）：2.5 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerFLAT 3.3x3.3

特性

RQ3G100GN采用了瑞萨先进的沟道MOSFET制造技术，在100V耐压等级下实现了极低的导通电阻，显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其典型RDS(on)仅为100mΩ（在VGS=10V时），即使在较低的栅极驱动电压如4.5V下也能保持130mΩ的良好表现，这使得它能够兼容多种逻辑电平驱动电路，包括由微控制器直接驱动的应用场景。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以减少发热并延长运行时间。
　　该器件具有优异的开关性能，输入电容和输出电容分别仅为620pF和110pF，意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动损耗并提升了整体系统效率。同时，较短的反向恢复时间（trr=28ns）使其在半桥或同步整流拓扑中表现出色，减少了体二极管反向恢复引起的尖峰电压和开关损耗，增强了系统的稳定性与可靠性。
　　RQ3G100GN还具备良好的热性能，采用PowerFLAT封装，底部带有裸露焊盘，便于通过PCB进行高效散热，确保在高功率密度环境下仍能维持安全的工作温度。该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101认证（若适用），适用于对可靠性和环境适应性要求较高的工业和汽车级应用。此外，其坚固的结构设计提供了较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护，进一步提升了在恶劣电气环境中的耐用性。

应用

RQ3G100GN广泛用于各类中等功率电源管理系统中，尤其适用于需要高效率和小尺寸解决方案的设计场景。典型应用包括但不限于：同步降压型DC-DC转换器，作为上管或下管使用，提供高效的电压调节；在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块中担任负载开关或电源路径控制角色；在LED驱动电路中用于恒流控制和调光功能；在电机驱动器中作为H桥的一部分，控制直流电机或步进电机的方向与速度。
　　此外，该器件也适用于工业自动化系统中的继电器替代方案，利用固态开关的优势实现无触点控制，提升响应速度和寿命。在网络通信设备的板载电源系统中，RQ3G100GN可用于多相VRM（电压调节模块）设计，支持CPU或ASIC的动态供电需求。由于其优良的高频特性，还可用于无线充电发射端的谐振变换器拓扑中，提升能量传输效率。总之，凡是需要100V耐压、中等电流承载能力和高开关频率的场合，RQ3G100GN都是一个极具竞争力的选择。