时间：2025/11/8 6:27:06
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RQ3E150BNTB是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能，适用于多种现代电力电子系统。其封装形式为小型化且具有良好散热性能的PowerFLAT 5x6封装，适合在空间受限的应用中使用，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
这款MOSFET主要面向DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等应用场景。由于其优化的栅极电荷和米勒电容特性，RQ3E150BNTB能够在高频工作条件下实现较低的开关损耗，从而提高整体能效。此外，该器件还具有较高的雪崩耐受能力和坚固的可靠性设计，能够应对瞬态电压冲击和恶劣的工作环境。
型号：RQ3E150BNTB
类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：150 V
连续漏极电流ID：48 A
脉冲漏极电流IDM：192 A
栅源电压VGS：±20 V
导通电阻RDS(on)：1.7 mΩ @ VGS=10V
导通电阻RDS(on)：2.2 mΩ @ VGS=4.5V
栅极电荷Qg：43 nC @ VGS=10V
输入电容Ciss：3380 pF
输出电容Coss：560 pF
反向恢复时间trr：22 ns
工作结温Tj：-55°C 至 +175°C
封装：PowerFLAT 5x6
RQ3E150BNTB采用了瑞萨先进的沟槽栅极与超结结构相结合的技术平台，使其在同类150V N沟道MOSFET中表现出卓越的导通和开关性能。其典型导通电阻低至1.7mΩ（在VGS=10V时），显著降低了传导损耗，特别适用于大电流、低电压输出的同步整流拓扑结构中。即使在较低的驱动电压下（如4.5V），其RDS(on)仍可保持在2.2mΩ以内，确保了在轻载或低压控制环境下依然具备良好的效率表现。
该器件的栅极电荷Qg仅为43nC，配合较小的输入电容（Ciss=3380pF），使得驱动功耗大幅降低，有利于提升高频工作的整体效率。同时，其米勒电容（Crss）被有效抑制，减少了因dv/dt引起的误触发风险，增强了电路稳定性。这对于用于硬开关或谐振转换器中的主开关或同步整流管尤为重要。
RQ3E150BNTB具备出色的动态性能，反向恢复时间trr为22ns，体二极管恢复速度快，可减少与之并联的续流二极管或互补器件之间的交叉导通损耗，在桥式电路中尤其关键。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级认证，具备高可靠性和耐久性，可在极端温度循环和高湿度环境中稳定运行。
其PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧（仅5mm x 6mm），而且底部带有裸露焊盘，可直接连接到PCB的散热区域，实现高效的热传导路径，最大结温可达+175°C，允许在高温环境下持续工作而无需额外增加复杂散热措施。综合来看，RQ3E150BNTB是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和可靠性均有严苛要求的应用场景。
广泛应用于车载电源系统，包括车载充电机（OBC）、DC-DC转换器模块、电池管理系统（BMS）中的高压侧开关；工业电源领域中的服务器电源、通信电源、PoE供电设备；新能源系统中的光伏逆变器、储能系统的能量管理单元；以及高端消费类电子产品中的高效同步整流电路。此外，也可用于电机驱动、热插拔控制器和负载开关等需要低RDS(on)和快速响应能力的场合。
RJK03B9DPB,R6020ENZ,IPD90N15N3G
