RQ3E130MNTB 时间：2025/5/9 12:33:30 阅读：6

RQ3E130MNTB 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET 芯片。该芯片广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景中，例如电源管理、电机驱动和负载开关等应用。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多设计工程师的理想选择。
　　RQ3E130MNTB 的封装形式为 LFPAK88，这种封装具有良好的散热性能和较低的寄生电感，有助于提高整体系统的效率和稳定性。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：200A
　　导通电阻：0.5mΩ
　　栅极电荷：94nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃

特性

RQ3E130MNTB 的主要特点是其超低的导通电阻（0.5mΩ），这显著降低了导通损耗并提升了效率。此外，该器件支持高达 200A 的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。其 LFPAK88 封装形式不仅紧凑而且具备卓越的热性能，能够快速散发运行过程中产生的热量。
　　此外，RQ3E130MNTB 的栅极电荷较小（94nC），这使得驱动所需的能量减少，从而进一步提高了系统的整体效率。工作温度范围宽广，能够在极端条件下稳定运行，适用于工业和汽车领域。

应用

RQ3E130MNTB 广泛用于多种电力电子设备中，包括但不限于 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及负载开关等。在这些应用中，其低导通电阻和高电流处理能力确保了高效的功率转换，并减少了发热问题。
　　此外，这款 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用，例如电动助力转向系统（EPS）、制动系统和牵引逆变器等关键部件。由于其出色的热性能和高可靠性，RQ3E130MNTB 成为许多高性能系统设计中的首选元件。