型号：LWQ18S
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压 VRRM：1200V
　　平均正向电流 IF(AV)：18A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：150A
　　正向电压降 VF(@25°C)：1.65V
　　反向漏电流 IR(@25°C)：≤ 200μA
　　反向漏电流 IR(@150°C)：≤ 1.0mA
　　结温范围 TJ：-55℃ ~ +175℃
　　热阻 RθJC：1.2℃/W
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装

LWQ18S碳化硅肖特基二极管的核心优势在于其基于4H-SiC半导体材料的物理特性，使其在高压、高温和高频工况下表现出远超传统硅二极管的性能。首先，在反向耐压方面，该器件可承受高达1200V的重复反向电压，确保在高母线电压系统中稳定运行，如三相逆变器或光伏升压电路。同时，由于碳化硅材料的宽禁带特性，其本征载流子浓度极低，从而大幅降低了高温下的反向漏电流。在25°C时漏电流不超过200μA，在150°C高温下仍能控制在1.0mA以内，有效避免了因漏电流增大导致的热失控风险。
　　其次，LWQ18S具备接近零的反向恢复电荷（Qrr）和无反向恢复电流的特性，从根本上消除了开关过程中的反向恢复损耗，这对于高频软开关拓扑（如LLC谐振变换器、有源钳位反激等）至关重要。这不仅提升了系统效率，还减少了电磁干扰（EMI），简化了滤波电路设计。此外，较低的正向导通压降（典型值1.65V @25°C）进一步降低了导通损耗，尤其在大电流持续导通的应用中优势明显。
　　该器件的热性能同样出色，其结温最高可达+175°C，允许在恶劣热环境下长期工作，无需过度依赖复杂散热结构。结合1.2℃/W的低结到壳热阻，热量可高效传递至散热器或PCB，提升功率密度。TO-252封装兼具小型化与良好焊接可靠性，适合自动化贴片生产，并支持回流焊工艺。陆芯电子对LWQ18S实施严格的质量管控，通过AEC-Q101可靠性测试，具备高抗浪涌能力（IFSM达150A），增强了系统鲁棒性。总体而言，LWQ18S在效率、可靠性和热管理方面的综合表现，使其成为新能源与工业电源领域中替代传统FRD的理想选择。

LWQ18S碳化硅肖特基二极管广泛应用于需要高效率与高可靠性的电力电子系统中。在光伏逆变器中，常用于DC-DC升压级的输出整流或MPPT电路中的续流元件，利用其低Qrr特性减少开关损耗，提升整机效率至98%以上。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩中，LWQ18S可用于PFC功率因数校正级或二次侧整流，支持高频化设计，缩小磁性元件体积。在服务器电源、通信电源等高密度AC-DC电源中，该器件可作为LLC变换器的同步整流替代方案或辅助整流使用，降低温升并提高功率密度。此外，在工业电机驱动、UPS不间断电源和感应加热设备中，LWQ18S凭借其高温稳定性和快速响应能力，胜任频繁开关和重载工况下的续流与保护任务。由于其表面贴装封装，也适用于追求小型化与自动化生产的消费类大功率适配器。总之，凡是对效率、散热和可靠性有严苛要求的高压整流场合，LWQ18S均能提供卓越的技术支持与系统优化价值。