时间：2025/9/3 5:27:15
阅读：6
MV2112是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）推出的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）驱动器芯片。该器件专为驱动高边和低边MOSFET设计，广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、电机控制以及电源管理系统中。MV2112采用了高压工艺技术，能够在恶劣的电源环境下提供稳定可靠的驱动能力。其封装形式通常为8引脚SOIC或TSSOP，适合紧凑型PCB布局。
工作电压范围：4.5V至18V
输出电流（峰值）：1.4A（典型值）
传播延迟：15ns（典型值）
输入逻辑阈值：TTL/CMOS兼容
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装类型：8-SOIC、8-TSSOP
高压侧浮动电压：高达100V
自举电压范围：5V至18V
MV2112具有快速的传播延迟和上升/下降时间，确保高频开关操作的效率和稳定性。其内部集成了一个高边和低边驱动器，采用自举技术实现高侧MOSFET的高效驱动。该芯片还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在供电电压不足时发生误操作。输入端兼容TTL和CMOS电平，便于与各种控制器连接。MV2112的封装设计考虑了热管理和空间限制，适用于高密度电源转换应用。
此外，MV2112具有较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境下保持稳定工作。其输入端具备施密特触发器功能，提升了对输入信号的抗干扰性能。该器件的输出端具有短路保护和过温保护功能，提高了系统可靠性。MV2112还支持独立的高边和低边驱动控制，允许用户实现灵活的开关时序控制，适用于各种复杂的电源拓扑结构。
MV2112主要应用于同步整流电路、DC-DC降压/升压转换器、H桥电机驱动、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、电源管理模块以及各种需要高效MOSFET驱动的工业和汽车电子系统。该芯片的高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于环境较为严苛的应用场景。
MIC5021, TC4427, IRS2104, FAN3224, LM5112
