时间：2025/12/25 10:17:57
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RQ3E120ATTB是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，专为高效率电源转换应用而设计。该器件封装在紧凑的8引脚HSOP（High-density Small Outline Package）中，带有裸露焊盘以增强散热性能，适用于空间受限但要求高功率密度的设计场景。RQ3E120ATTB具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关特性和热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，广泛应用于DC-DC转换器、服务器电源、电信设备、工业电源以及电池管理系统等场合。其栅极耐压能力经过优化，支持常见的逻辑电平驱动（如5V或10V），并具备良好的抗雪崩能力和ESD保护，提高了系统鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101可靠性认证，适合对质量和长期稳定性有严苛要求的应用领域。RQ3E120ATTB通过集成多个芯片级特性，在保证高性能的同时降低了外围电路复杂度，是现代高效能电源架构中的理想选择之一。
型号：RQ3E120ATTB
制造商：Renesas Electronics
产品类型：MOSFET
拓扑结构：N沟道增强型
漏源电压VDS：120V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID（@25°C）：40A
脉冲漏极电流IDM：160A
导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：1.2mΩ
导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：1.8mΩ
栅极电荷Qg（典型值）：75nC
输入电容Ciss（典型值）：4500pF
反向恢复时间trr（典型值）：35ns
阈值电压Vth：2.0V ~ 3.0V
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：HSOP-8（带裸露焊盘）
安装方式：表面贴装SMD
RQ3E120ATTB采用了瑞萨电子先进的沟槽栅极与场截止（Trench Gate & Field-Stop）工艺技术，这种结构显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。其超低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为1.2mΩ，即使在大电流条件下也能有效减少I2R损耗，有助于提高电源系统的效率并降低散热需求。该器件还表现出优异的动态性能，具有较低的栅极电荷（Qg = 75nC typ）和米勒电容，这使得它在高频开关应用中表现突出，能够减少驱动功耗并加快开关速度，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的PWM控制电路。
该MOSFET具备出色的热管理能力，得益于HSOP-8封装内置的裸露焊盘，可将芯片产生的热量高效传导至PCB地层，实现有效的自然对流或强制风冷散热。结合高达+175°C的最大结温，使其能在恶劣的热环境中稳定运行，增强了系统的环境适应性。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）满足工业级和部分汽车级应用的需求。
在可靠性方面，RQ3E120ATTB通过严格的AEC-Q101认证，具备良好的抗瞬态过压、短路和热失控能力。内部设计包含优化的单元布局，减少了热点形成的风险，并提升了器件的长期耐用性。此外，其栅极端子具备±20V的耐压能力，兼容主流驱动IC输出，避免因栅极过压导致击穿失效。集成的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr ≈ 35ns），可在同步整流或感性负载切换中提供可靠的续流路径，同时降低反向恢复引起的开关尖峰和EMI干扰。这些综合特性使RQ3E120ATTB成为高性能电源系统中理想的主开关或同步整流元件。
RQ3E120ATTB广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用场景包括通信基础设施中的48V POL（Point-of-Load）转换器、服务器主板上的VRM（电压调节模块）、工业自动化设备的DC-DC中间总线转换器以及电信设备的AC-DC辅助电源。由于其优异的导通和开关特性，特别适合用于同步整流拓扑结构，例如在LLC谐振变换器或非隔离式buck、boost及buck-boost电路中作为主控开关管使用。此外，该器件也适用于电池储能系统（BESS）、电动工具电源管理单元以及UPS不间断电源中的功率切换模块。在新能源汽车领域，可用于车载充电机（OBC）的次级侧整流或DC-DC转换部分，尤其是在需要小型化和高效散热设计的场合。其符合AEC-Q101标准的特性也使其能够进入部分车规级应用环境。对于需要并联工作的多管方案，RQ3E120ATTB的一致性和热稳定性确保了电流均衡分配，进一步提升系统可靠性。总之，任何需要低损耗、高频率操作和良好热性能的N沟道MOSFET应用，均可考虑采用RQ3E120ATTB作为核心功率器件。
RJK0855DPB
IPB017N15N5
SiHPX30N120NF
