时间：2025/12/25 13:00:12
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RQ3E100GNTB是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和薄晶圆技术制造，能够在低导通电阻和快速开关性能之间实现良好平衡，适用于多种高频开关电源场景。RQ3E100GNTB封装在小型化的PowerFLAT 5x6封装中，具有优异的散热性能和空间利用率，适合对尺寸敏感且需要高效热管理的应用场合。其额定电压为100V，适用于工业控制、DC-DC转换器、电机驱动以及消费类电子设备中的功率开关需求。该MOSFET经过优化，具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗并提升整体系统效率。此外，产品符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。
型号：RQ3E100GNTB
制造商：Renesas Electronics
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
连续漏极电流（ID）：58 A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：232 A
栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻RDS(on)：最大9.8 mΩ（VGS=10V, ID=29A）
导通电阻RDS(on)：最大12.5 mΩ（VGS=4.5V, ID=20A）
栅极电荷（Qg）：典型值26 nC（VDS=80V, ID=29A, VGS=10V）
输入电容（Ciss）：典型值1760 pF（VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz）
输出电容（Coss）：典型值230 pF
反向恢复时间（trr）：典型值34 ns
二极管正向电流（IS）：58 A
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
RQ3E100GNTB采用瑞萨先进的沟槽栅极MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持了良好的开关特性。其低RDS(on)值在VGS=10V时仅为9.8mΩ，在同类100V N沟道MOSFET中处于领先水平，有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。
该器件具备较低的栅极电荷（Qg），典型值为26nC，这直接降低了驱动电路所需的能量，使得在高频开关应用中能够减少驱动损耗，并允许使用更小的驱动IC或简化驱动设计。同时，较低的Qg也有助于加快开关速度，缩短开关过渡时间，从而进一步降低开关损耗。
得益于PowerFLAT 5x6封装技术，RQ3E100GNTB实现了优异的热性能和电气性能。该封装具有低热阻特性（典型Rth(j-c)约为1.5°C/W），能够将芯片产生的热量高效传导至PCB，避免局部过热问题。此外，封装尺寸紧凑（仅5mm x 6mm），非常适合空间受限的设计，如便携式设备或高密度电源模块。
器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的可靠性。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=34ns），可减少续流过程中的能量损耗，特别适用于同步整流拓扑结构。
总体而言，RQ3E100GNTB结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代高效电源系统中理想的功率开关选择，尤其适合用于服务器电源、电信设备、电动工具和LED驱动等应用领域。
RQ3E100GNTB广泛应用于各类中高功率DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器使用，特别是在非隔离式降压（Buck）、升压（Boost）及双向转换器拓扑中表现优异。其低导通电阻和快速开关特性使其成为通信电源、工业电源模块和嵌入式电源系统中的理想选择。
在电机驱动应用中，该MOSFET可用于H桥电路或半桥配置中，控制直流电机或步进电机的运行方向与速度，凭借其高电流承载能力和良好的热稳定性，确保长时间稳定运行。
此外，RQ3E100GNTB也适用于服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）设计，配合多相并联架构实现高效低压大电流输出，满足CPU或GPU供电需求。
在消费类电子产品中，如高端笔记本电脑适配器、游戏主机电源、LED照明驱动电源等，该器件可用于PFC（功率因数校正）电路或LLC谐振变换器次级侧同步整流，以提高能效等级并满足能源法规要求。
由于其小型化封装和高功率密度特点，RQ3E100GNTB也被用于便携式储能设备、无人机电源管理系统以及新能源汽车辅助电源系统中，提供可靠且高效的功率切换功能。
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