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RQ1E070RPTR 发布时间 时间:2025/12/25 10:18:31 查看 阅读:34

RQ1E070RPTR是一款由Ricoh(理光)微电子公司生产的高性能、低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于需要稳定电压输出的便携式电子设备中。该器件属于RQ系列LDO产品线,采用先进的CMOS工艺制造,具有低静态电流、高电源抑制比(PSRR)、快速瞬态响应以及出色的负载和线路调节能力。RQ1E070RPTR的最大输出电流可达300mA,适用于为微控制器、传感器、射频模块和其他低功耗电路提供干净稳定的电源轨。该芯片内置过热保护和过流保护功能,确保在异常工作条件下仍能安全运行,提高了系统的可靠性与稳定性。其封装形式为DFN1212-4(1.2mm x 1.2mm),具有极小的占板面积和良好的散热性能,特别适合对空间要求极为严格的便携式设备如智能手表、TWS耳机、可穿戴设备及物联网终端等应用领域。此外,RQ1E070RPTR支持使用小型陶瓷电容器进行输出补偿,进一步减小外部元件体积,降低整体BOM成本。

参数

工作输入电压范围:1.4V ~ 5.5V
  输出电压:0.8V ~ 3.6V(可调版本)或固定电压选项
  最大输出电流:300mA
  压差电压(典型值):110mV @ 300mA
  静态电流(IQ):通常为28μA
  关断电流:小于0.1μA
  电源抑制比(PSRR):70dB @ 1kHz(典型值)
  输出电压精度:±1.0%
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:DFN1212-4(1.2mm × 1.2mm)
  引脚数量:4

特性

RQ1E070RPTR具备多项先进特性,使其成为低功耗、高精度电源管理应用的理想选择。首先,它采用了超低静态电流设计,在正常工作状态下仅消耗约28μA的电流,显著延长了电池供电设备的工作时间。即使在轻载条件下,也能保持高效的能量转换效率,这对于依赖纽扣电池或微型锂电池的可穿戴设备至关重要。
  其次,该LDO具有优异的动态响应性能。当负载电流发生突变时,输出电压能够迅速恢复稳定,避免因电压波动导致系统复位或信号失真。这一特性得益于内部优化的误差放大器和补偿电路设计,同时支持使用低至1μF的小型陶瓷电容器作为输出滤波,从而实现紧凑型外围电路布局。
  再者,RQ1E070RPTR集成了全面的保护机制,包括过电流保护和过热关断功能。当输出短路或负载过大时,芯片会自动限制输出电流并防止损坏;若结温超过安全阈值(通常为150°C),则启动热关断机制,待温度下降后自动恢复运行,提升了系统长期工作的安全性与可靠性。
  此外,该器件提供多种固定输出电压版本和可调型号,用户可根据具体需求灵活选型。其高输出精度(±1%)确保在整个温度范围和负载变化下维持稳定的电压输出,满足精密模拟电路和数字逻辑电路的供电要求。DFN1212-4封装不仅节省PCB空间,还通过底部裸露焊盘实现高效散热,适合自动化贴片生产,有助于提高制造良率和产品一致性。

应用

RQ1E070RPTR广泛应用于各类对尺寸、功耗和稳定性有严苛要求的便携式电子产品中。典型应用场景包括无线通信模块,如蓝牙低功耗(BLE)、Zigbee、LoRa等射频芯片的供电管理,为其提供低噪声、高稳定性的电源轨道,有效提升接收灵敏度和传输稳定性。
  在可穿戴设备领域,例如智能手环、智能手表、健康监测贴片等,由于这些设备通常采用小型电池且需长时间待机,因此对电源效率和静态功耗极为敏感,RQ1E070RPTR凭借其低至28μA的静态电流和高效率表现,成为理想的电源解决方案。
  此外,该器件也常用于工业传感器节点、环境监测设备、MEMS传感器(如加速度计、陀螺仪)的供电系统中,确保传感器在各种工况下获得精确而稳定的参考电压,从而提高测量精度和系统可靠性。
  在消费类电子产品中,如TWS真无线耳机、电子标签、智能家居控制面板等,RQ1E070RPTR可用于为主控MCU、音频编解码器或触摸控制器供电,帮助实现更长的续航时间和更优的用户体验。其小型化封装和无需大容量电容的设计优势,也有助于缩小整机体积,适应现代电子产品轻薄化的发展趋势。

替代型号

R122x series (Ricoh)
  XC6206P series (Torex)
  MCP1700 series (Microchip)
  TPS7A05 series (TI)
  HT73xx series (Holtek)

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RQ1E070RPTR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥9.94000剪切带(CT)3,000 : ¥4.23046卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)17 毫欧 @ 7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)26 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2700 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)550mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TSMT8
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线