GRT1555C2A9R1DA02D是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信系统中的功率放大器应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和出色的线性度特性,适用于蜂窝基站、微波链路和其他射频功率放大的场景。其封装形式适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高效散热。
型号:GRT1555C2A9R1DA02D
类型:射频功率晶体管
频率范围:3.4GHz 至 3.6GHz
输出功率(P1dB):43dBm
增益:14dB
效率:55%
Vdd电压:28V
封装:DPAK(TO-252)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GRT1555C2A9R1DA02D的主要特性包括以下几点:
1. 高输出功率:在3.4GHz至3.6GHz频段内可提供高达43dBm的输出功率。
2. 高效率:典型效率达到55%,能够有效降低功耗并减少热量产生。
3. 优异的线性度:该器件经过优化设计,能够在高线性应用中表现出色。
4. 小型化封装:采用DPAK封装,适合表面贴装,占用空间小且易于集成。
5. 宽带性能:在指定频率范围内提供稳定的增益和输出功率表现。
6. 耐高温能力:能够在高达+85°C的环境下正常运行,适应恶劣的工作条件。
7. 易于驱动:输入和输出匹配网络简化了电路设计,降低了开发难度。
这款射频功率晶体管主要应用于以下领域:
1. 蜂窝基站:用于2G/3G/4G/LTE等移动通信系统的功率放大模块。
2. 微波链路:为点对点微波通信设备提供高效的功率放大功能。
3. 固定无线接入(FWA):支持宽带无线接入系统的信号放大需求。
4. 军事与航空航天:满足雷达、卫星通信及其他高性能射频系统的要求。
5. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备:如无线传感器网络和射频能量传输装置。
GRT1555C2A9R1DA01D, GRT1555C2A9R1DA03D