型号：RPM870-H7E2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：功率MOSFET模块
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　最大连续漏极电流（ID）：80 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：160 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 70 mΩ @ VGS=15V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 140 nC @ VDS=500V, ID=40A
　　输入电容（Ciss）：典型值 4500 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 1200 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 35 ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SIP（Single In-line Package）或类似模块化封装
　　安装方式：通孔安装或底板散热安装
　　绝缘耐压：≥2500 Vrms（典型值）
　　热阻（Rth(j-c)）：典型值 0.35 °C/W

RPM870-H7E2 具备优异的电气与热性能，其核心优势在于采用了ROHM独有的沟槽栅极垂直DMOS工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（RDS(on)），从而有效减少导通状态下的功率损耗。这使得该器件在大电流应用场景下依然能够保持较高的能量转换效率，特别适合于高频开关电源和电机驱动系统。器件内部结构经过优化设计，极大程度地抑制了米勒效应引起的误触发问题，提高了开关过程中的稳定性与安全性。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于降低驱动电路的功耗，使控制器可以使用更小功率的驱动IC，进一步提升系统整体能效。
　　该模块具备出色的热管理能力，通过底部金属基板实现高效的热量传导，可直接安装于散热器上，实现双面散热结构，大幅改善热循环可靠性。其封装材料具有高耐热性和抗湿性，符合工业级甚至车载级环境要求。此外，模块内部引线采用高强度铜带连接，增强了电流承载能力和机械强度，避免传统键合线因热膨胀系数差异导致断裂的风险。内置的NTC温度传感器选项（视具体版本而定）可实时监控结温变化，为系统提供过温保护依据，提升运行安全性。
　　RPM870-H7E2 还具备良好的电磁兼容性（EMC），其内部布局最小化了环路面积，降低了辐射噪声水平，满足多数工业EMI标准。器件支持并联使用，由于其正温度系数的RDS(on)，在多管并联时能自然实现电流均衡，无需额外均流措施。整个模块通过UL、VDE等安规认证，适用于全球范围内的交流输入电源系统。ROHM还提供配套的驱动参考设计和故障诊断建议，帮助用户快速完成系统集成与调试。

RPM870-H7E2 主要应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其适用于对效率、可靠性和空间紧凑性有较高要求的场合。常见应用领域包括工业自动化中的伺服电机驱动器与变频器，其中该模块作为主开关元件负责直流母线到三相输出的逆变操作，凭借其低导通损耗和快速响应能力，显著提升了电机控制精度与动态响应速度。在太阳能光伏逆变器中，RPM870-H7E2 可用于DC-AC转换级，将太阳能板产生的直流电高效转换为并网交流电，其高耐压特性和稳定的高温性能保障了户外长期运行的可靠性。
　　此外，该器件也广泛用于不间断电源（UPS）、通信电源、服务器电源等高端开关电源设备中，作为PFC（功率因数校正）或LLC谐振转换级的开关管，实现接近99%的转换效率。在电动汽车充电基础设施中，如车载充电机（OBC）或直流充电桩的辅助电源模块中，RPM870-H7E2 能够承受频繁的开关应力和宽温工作环境，表现出卓越的耐用性。其他潜在应用还包括感应加热设备、医疗电源、铁路牵引系统辅助电源以及智能电网终端设备等。得益于其模块化设计，RPM870-H7E2 易于安装与维护，适合批量生产环境下的自动化装配流程。

RPM860-H7E2
　　RPM880-H7E2
　　BM870S2VT