时间：2025/8/28 13:53:26
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RPM42BD 是 Rohm（罗姆）公司生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和控制电路中。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较高的开关频率下工作，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。RPM42BD 封装形式为表面贴装型（SOP），适合用于空间受限的高功率密度应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏极-源极电压（Vds）：60V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大22mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
RPM42BD 具备优异的电气性能和热稳定性，适用于多种功率管理应用。其主要特性包括：低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率；高耐压能力，使其适用于中高功率应用；采用Trench MOSFET结构，提升了电流承载能力和开关速度；封装设计有利于散热，提高器件在高功率下的可靠性。此外，该MOSFET具有良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动和负载开关等高频开关电路。
RPM42BD 广泛应用于各类需要高效功率控制的电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、LED驱动电路以及工业自动化控制系统等。由于其高效率和良好的热性能，该器件特别适合用于需要紧凑设计和高效能表现的便携式设备和高密度电源模块。
RPM42BD 的替代型号包括：SiSSPM428P、FDMS8880、IRFZ44N、FDS6680、AO4406、TPS2R012
