时间：2025/9/26 11:22:59
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RP200N111D-TR-FE是一款由Richtek（立锜科技）推出的高性能直流-直流降压转换器（Buck Converter），广泛应用于需要高效率、小尺寸电源解决方案的便携式电子设备中。该芯片集成了高压侧和低压侧MOSFET，采用同步整流技术，能够实现高达95%以上的转换效率，适用于电池供电系统、物联网设备、工业控制模块以及消费类电子产品中的电源管理单元。RP200N111D-TR-FE采用紧凑型封装（如DFN），具备良好的热性能和空间利用率，适合对PCB面积敏感的设计。该器件工作输入电压范围宽，通常支持4.5V至18V的输入电压，输出电压可通过外部电阻调节或内部固定设定，最大输出电流可达2A以上，具备过流保护、过温保护和欠压锁定等多重保护机制，确保系统在各种异常条件下稳定运行。此外，该芯片支持脉冲频率调制（PFM）或脉宽调制（PWM）模式，在轻载时自动进入节能模式以降低静态电流，延长电池寿命。其高集成度和优化的控制环路设计使得外围元件数量大大减少，简化了电源设计流程，降低了整体BOM成本。
型号：RP200N111D-TR-FE
制造商：Richtek（立锜科技）
器件类型：同步降压DC-DC转换器
输入电压范围：4.5V ~ 18V
输出电压范围：0.8V ~ 15V（可调）
最大输出电流：2A
开关频率：500kHz ~ 1MHz（典型600kHz）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
静态电流：典型30μA（关断模式下可低于1μA）
控制方式：电流模式控制
调制方式：PWM/PFM自动切换
反馈参考电压：0.8V ±1%
封装形式：DFN-10（3mm x 3mm）
集成MOSFET：内置高低侧MOSFET（Rdson HS：80mΩ，Rdson LS：60mΩ）
保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）
软启动功能：内置软启动（典型1ms）
效率：最高可达95%以上（典型应用条件下）
RP200N111D-TR-FE具备多项先进特性，使其在同类产品中具有显著优势。首先，其采用电流模式控制架构，提供了快速的瞬态响应能力和稳定的环路控制性能，能够在负载突变时迅速调整占空比，维持输出电压稳定，特别适用于动态负载变化的应用场景，如微控制器、传感器节点或无线通信模块的供电。其次，芯片内置高压侧和低压侧功率MOSFET，不仅提高了整体效率，还减少了外部元件数量，简化了布局设计，降低了电磁干扰（EMI）风险。此外，该器件支持PWM与PFM自动切换模式，在重载时运行于恒定频率PWM模式以保证输出精度和低纹波，而在轻载或待机状态下自动切换至PFM模式，显著降低开关损耗和静态功耗，从而提升轻载效率，延长电池使用寿命。
另一个关键特性是其宽输入电压范围（4.5V~18V），使其能够兼容多种电源输入源，包括单节或多节锂电池、12V适配器或工业电源总线，增强了系统的通用性和适应性。同时，输出电压可通过外部电阻分压网络灵活设定，最低可调至0.8V，满足现代低电压数字核心供电需求。芯片还集成了全面的保护机制，包括逐周期过流保护、打嗝模式短路保护、热关断保护以及输入欠压锁定功能，有效防止因异常工况导致的器件损坏，提升了系统可靠性。其DFN-10小型化封装不仅节省PCB空间，还通过底部裸露焊盘实现高效散热，适合高密度贴装设计。最后，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊接工艺，适用于自动化量产环境。
RP200N111D-TR-FE广泛应用于多种需要高效、小型化电源解决方案的领域。在便携式电子设备中，如智能手表、TWS耳机、移动POS机和手持测试仪器，该芯片凭借其高效率和低静态电流特性，能够有效延长电池续航时间。在物联网（IoT）节点和无线传感器网络中，其宽输入电压范围和轻载高效模式非常适合由电池或能量采集供电的低功耗系统。工业自动化设备，如PLC模块、远程I/O单元和工业HMI面板，也常采用该器件为MCU、FPGA或通信接口（如RS-485、CAN）提供稳定电源。此外，在消费类电子产品如智能家居控制器、路由器、安防摄像头等设备中，RP200N111D-TR-FE可用于将12V或5V母线电压降至3.3V、2.5V或1.8V等常用逻辑电平。电信基础设施中的小型基站、光模块供电单元同样受益于其高可靠性和紧凑设计。由于其具备良好的瞬态响应和低输出纹波，也可用于为精密模拟电路（如ADC、DAC、运放）提供干净的电源轨。总之，任何需要将较高直流电压高效降压至较低电压并要求高集成度和高可靠性的应用场景，都是RP200N111D-TR-FE的理想选择。
RT7276GQW
MP2315DN-LF-Z
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LMR16020XDDA
