时间：2025/5/13 9:57:55
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GMC04CG561F50NT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于需要高效能和可靠性的电路设计。
这款 MOSFET 采用 TO-263 封装形式，提供卓越的热性能和电气性能，使其非常适合于汽车电子、工业设备和消费类电子产品中的功率管理解决方案。
型号：GMC04CG561F50NT
类型：MOSFET
封装：TO-263
漏源极耐压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：39nC
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GMC04CG561F50NT 提供了多种卓越的技术特点，包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压 (Vds)，确保其在高压环境下的稳定性和可靠性。
3. 快速的开关特性，能够适应高频应用需求。
4. 良好的热稳定性，在极端温度范围内依然保持优异性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
此外，其 TO-263 封装设计不仅节省空间，还增强了散热能力，从而提升了整体系统性能。
GMC04CG561F50NT 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子 - 包括电动车辆的电机驱动器、电池管理系统 (BMS) 和 DC/DC 转换器。
2. 工业自动化 - 如变频器、伺服驱动器和工业电源供应。
3. 消费类电子产品 - 包括笔记本电脑适配器、LED 照明驱动器以及家用电器中的功率控制模块。
4. 可再生能源系统 - 例如太阳能逆变器和风力发电系统的功率调节单元。
5. 电信设备 - 提供高效的电源管理解决方案以支持基站和数据中心运行。
GMC04CG561F50NTR, GMC04CG561F50NTL
