HSR276TRF 时间：2025/6/30 11:08:01 阅读：2

HSR276TRF 是一款高性能的 N 治道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，能够满足多种电子系统的需求。
　　HSR276TRF 在设计上注重效率与可靠性，适用于需要高效功率转换的场合。其出色的电气特性使其成为许多应用中的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：14A
　　导通电阻：30mΩ
　　栅极电荷：25nC
　　开关时间：典型值 15ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

HSR276TRF 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频操作，适合现代高效能开关模式电源设计。
　　3. 良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持稳定运行。
　　4. 可靠性高，经过严格的测试流程以确保在各种环境下的表现。
　　5. 小型封装尺寸节省了 PCB 空间，同时提供了优越的散热性能。

应用

HSR276TRF 的典型应用包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器和主开关。
　　2. DC/DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电池管理系统中的负载开关。
　　4. 电机驱动中的功率级开关。
　　5. 各种保护电路中的快速切换元件。
　　由于其优异的性能，HSR276TRF 成为这些领域中不可或缺的关键组件。