类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大正向电流（IF）：1A
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）：450mV（在1A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA（典型值，25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　热阻（Rth(j-a)）：约250°C/W
　　电容（Ct）：约60pF（在1MHz下）

RP200K121B-TR的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了正向导通压降。在1A的工作电流下，其正向压降仅为450mV左右，远低于普通硅二极管的0.7V～1.0V水平。这一特性直接减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能量转换效率，尤其适用于对功耗敏感的移动设备和电池供电系统。例如，在DC-DC升压或降压转换器中作为续流二极管使用时，低VF意味着更少的能量以热量形式耗散，从而提升电源效率并减少散热需求。
　　该器件具备出色的开关速度，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，几乎不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间（trr）极短，通常小于10ns。这使得RP200K121B-TR在高频开关电路中表现优异，能够有效抑制因缓慢关断引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而增强系统的稳定性和可靠性。在开关电源、同步整流辅助电路或高速信号整流等应用中，快速开关能力有助于提升系统响应速度并降低噪声。
　　RP200K121B-TR采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，外形尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm，具有极高的空间利用率，非常适合高度集成的便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑。该封装还优化了内部引线结构，降低了寄生电感和电阻，进一步提升了高频性能和热传导效率。尽管体积小，但其热阻仍保持在合理范围内（约250°C/W），配合良好的PCB布局可实现有效的热量散发。
　　此外，该器件具备良好的温度稳定性，在宽温范围内（-55°C至+150°C）均能稳定工作，适用于各种严苛环境。其反向漏电流在常温下仅为0.1μA，虽然随温度升高会有所增加，但在同类产品中仍处于较低水平，确保了在高温工作条件下的可靠性。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的可能性较高，使其不仅适用于消费电子，也可用于汽车电子中的低电压保护电路。总体而言，RP200K121B-TR凭借其低VF、快恢复、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源系统中的理想选择。

RP200K121B-TR被广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子系统中。典型应用之一是作为DC-DC转换器中的续流二极管或箝位二极管，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和反激（Flyback）拓扑中，其低正向压降和快速恢复特性有助于提高转换效率并减少发热。在便携式设备如手机、平板和蓝牙耳机中，这类转换器用于电池电压调节，使用该二极管可延长续航时间。
　　另一个重要应用是在电源输入端的反向极性保护电路中。当系统由外部电源供电时，若发生接线错误或电源反接，该二极管可阻止电流倒流，保护后级电路免受损坏。由于其低VF特性，正常工作时的电压损失极小，不会显著影响系统供电效率。
　　该器件也常用于电池充放电管理电路中，作为隔离二极管防止多电源路径之间的回流。例如，在主电池与备用电池切换、或USB与适配器供电切换的场景中，RP200K121B-TR可用于构建简单的ORing电路。
　　此外，在高速数字信号线路中，它可作为瞬态电压抑制或信号整形元件，利用其快速响应能力抑制噪声和反射。在LED驱动电路、传感器模块和IoT节点设备中，该二极管也常用于电源去耦和电压箝位功能。由于其SOD-123FL封装支持自动化贴片生产，因此特别适合大规模量产的产品制造。

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　　 "RB751S-40",
　　 "RB751V-40",
　　 "SS12",
　　 "SK12",
　　 "MBR120"
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