时间：2025/5/13 16:49:10
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RP170N331D-TR-AE 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用小尺寸封装设计。该器件适用于高频开关和低功耗应用，具有低导通电阻、快速开关速度以及高效率的特点。RP170N331D-TR-AE 常用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的应用场景。
这款 MOSFET 的主要特点包括出色的 Rds(on) 性能，优化了功率损耗，同时其紧凑的封装形式有助于减少 PCB 空间占用，非常适合便携式设备和其他对空间敏感的设计。
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：68A
脉冲漏极电流(Ip)：170A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：48nC
总电容(Ciss)：5980pF
开关时间：典型值 13ns（tr），23ns（tf）
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
RP170N331D-TR-AE 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适合于开关电源和 DC/DC 转换器等应用。
3. 高额定电流能力，可承受高达 170A 的脉冲电流，确保在极端条件下的可靠性。
4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种严苛环境。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，方便布局与散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
RP170N331D-TR-AE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC/DC 适配器中的功率开关。
2. 各类 DC/DC 转换器及同步整流电路。
3. 电池管理系统 (BMS)，如电动汽车和储能系统的保护与控制。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和负载切换。
5. 可再生能源领域的逆变器和功率调节系统。
6. 高效节能的消费电子产品，如笔记本电脑适配器和智能家居设备。
RP170N331DP-TR-AE, IRF3710, AO6424
