工作输入电压范围：1.4V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±2%（常温下）
　　标称输出电压：1.0V
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值0.6μA（待机模式）
　　关断电流：小于0.1μA
　　压差电压：180mV @ IOUT=100mA（VIN-VOUT）
　　纹波抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz, 60dB @ 10kHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DFN1212-6 或 DFN1010-4（具体依版本而定）
　　输出电容建议值：≥0.47μF 陶瓷电容

RP152L010B的核心优势在于其超低静态电流设计，典型值仅为0.6μA，使其在电池供电应用中极大延长了设备的待机时间。这对于需要长期运行且无法频繁更换电池的物联网节点、智能传感器和可穿戴设备至关重要。该LDO在轻载条件下仍能维持高效率，避免传统稳压器在低功耗模式下的能效急剧下降问题。
　　该器件具备优异的动态响应性能，能够在负载电流快速变化时迅速调整输出电压，保持稳定，防止系统因电压波动而复位或误操作。其高达70dB的纹波抑制比有效滤除来自上游电源（如开关电源或电池噪声）的高频干扰，为敏感的模拟和射频电路提供干净的电源轨。
　　RP152L010B采用CMOS工艺制造，具有极低的自身噪声，并支持使用小型陶瓷电容进行输出滤波，简化了外围电路设计，同时提高了频率响应速度和稳定性。无需使用昂贵或大体积的钽电容，降低了整体BOM成本和PCB占用面积。
　　芯片内置多重保护机制，包括过电流保护和热关断功能。当输出短路或过载时，过流保护会限制输出电流，防止损坏器件；当芯片结温超过安全阈值（通常约150°C）时，热关断功能将自动关闭输出，待温度降低后恢复正常工作，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　该LDO支持使能（Enable）引脚控制，允许用户通过外部逻辑信号开启或关闭稳压器，实现电源序列控制或进一步降低系统功耗。其快速启动时间确保在唤醒后能迅速为负载供电，满足实时系统的需求。

RP152L010B广泛应用于对电源效率、尺寸和噪声有严格要求的便携式与嵌入式电子设备中。典型应用场景包括可穿戴设备如智能手表、健身追踪器和健康监测设备，这些产品依赖小型电池供电，要求长时间续航，因此超低静态电流的LDO至关重要。在物联网（IoT）终端设备中，如无线传感器节点、智能家居传感器和远程监控模块，该芯片为MCU、传感器和无线收发器（如BLE、LoRa、Wi-Fi模组）提供稳定的1.0V核心电压，确保系统在间歇性工作模式下的低功耗运行。
　　在消费类电子产品中，如TWS耳机、电子标签、遥控器和小型音频设备，RP152L010B用于为低电压逻辑电路和模拟前端供电，其小型封装有助于缩小产品体积。此外，在工业自动化和医疗电子领域，该LDO可用于为精密传感器信号调理电路、低功耗微处理器和数据采集系统提供干净、稳定的电源，避免电源噪声影响测量精度。
　　由于其高PSRR和低噪声特性，该器件也适合用于为ADC、DAC、PLL等对电源敏感的模拟或混合信号电路提供偏置电压，提升系统整体信噪比和性能表现。在多电源轨系统中，RP152L010B可作为次级稳压器，从主电源降压至1.0V，为特定功能模块独立供电，增强电源隔离性。

RP150K102D
　　XC6223B10MR-G
　　TPS7A0201DBVR
　　XC6502P10MR-G