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RP130N331D-TR-F 发布时间 时间:2025/6/4 14:26:20 查看 阅读:8

RP130N331D-TR-F 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并减少功耗。
  RP130N331D-TR-F 的封装形式为 TO-252 (DPAK),适用于表面贴装技术 (SMT),使其在紧凑型设计中表现出色。此外,它具备出色的热性能和电气稳定性,能够在广泛的温度范围内可靠工作。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容(输入电容):1070pF
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  逻辑电平兼容栅极驱动:支持

特性

RP130N331D-TR-F 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 较小的封装尺寸与良好的散热性能,便于在空间受限的应用中使用。
  4. 支持逻辑电平驱动,简化了电路设计并减少了外围元件数量。
  5. 耐用性好,可在极端温度条件下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,确保环保要求。

应用

RP130N331D-TR-F 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电池保护和管理电路。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 便携式电子产品中的高效功率转换方案。
  6. LED 照明驱动和调光控制。
  其优异的性能和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

RP130N331DPB-F, IRF3710PBF, AO4425

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