RP130N331D-TR-F 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并减少功耗。
RP130N331D-TR-F 的封装形式为 TO-252 (DPAK),适用于表面贴装技术 (SMT),使其在紧凑型设计中表现出色。此外,它具备出色的热性能和电气稳定性,能够在广泛的温度范围内可靠工作。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:14A
导通电阻(典型值):1.8mΩ
栅极电荷:19nC
总电容(输入电容):1070pF
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-252 (DPAK)
逻辑电平兼容栅极驱动:支持
RP130N331D-TR-F 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 较小的封装尺寸与良好的散热性能,便于在空间受限的应用中使用。
4. 支持逻辑电平驱动,简化了电路设计并减少了外围元件数量。
5. 耐用性好,可在极端温度条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,确保环保要求。
RP130N331D-TR-F 广泛用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池保护和管理电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 便携式电子产品中的高效功率转换方案。
6. LED 照明驱动和调光控制。
其优异的性能和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
RP130N331DPB-F, IRF3710PBF, AO4425