时间：2025/6/4 14:26:20
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RP130N331D-TR-F 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并减少功耗。
RP130N331D-TR-F 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，适用于表面贴装技术 (SMT)，使其在紧凑型设计中表现出色。此外，它具备出色的热性能和电气稳定性，能够在广泛的温度范围内可靠工作。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：19nC
总电容（输入电容）：1070pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
逻辑电平兼容栅极驱动：支持
RP130N331D-TR-F 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 较小的封装尺寸与良好的散热性能，便于在空间受限的应用中使用。
4. 支持逻辑电平驱动，简化了电路设计并减少了外围元件数量。
5. 耐用性好，可在极端温度条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保要求。
RP130N331D-TR-F 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池保护和管理电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 便携式电子产品中的高效功率转换方案。
6. LED 照明驱动和调光控制。
其优异的性能和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
RP130N331DPB-F, IRF3710PBF, AO4425
