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RP115H191D-T1-FE 发布时间 时间:2025/9/26 13:10:36 查看 阅读:7

RP115H191D-T1-FE是一款由Ricoh(理光)公司生产的高性能、低功耗、低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于便携式电子设备和对电源噪声敏感的电路中。该器件属于RP115系列,具有高精度输出电压、超低静态电流以及优异的负载和线路瞬态响应特性。RP115H191D-T1-FE的标称输出电压为1.9V,采用固定输出电压配置,最大输出电流可达150mA,适用于电池供电系统中需要长时间待机和高效能转换的应用场景。该LDO采用CMOS工艺制造,具备良好的温度稳定性和长期可靠性。封装形式为SOT-23-5小型表面贴装封装,适合空间受限的高密度PCB布局设计。器件内置过流保护和热关断功能,增强了系统的安全性和稳定性。此外,RP115H191D-T1-FE支持使用小型陶瓷电容器进行输出滤波,典型值为1μF,有助于减小整体解决方案尺寸并降低成本。其工作输入电压范围宽,通常在2.3V至5.5V之间,确保了在多种电源环境下的兼容性。由于其出色的电源抑制比(PSRR)性能,在高频段仍能保持较高的噪声抑制能力,因此特别适用于射频模块、传感器接口、微控制器供电、可穿戴设备及物联网终端等对电源质量要求较高的场合。

参数

型号:RP115H191D-T1-FE
  制造商:Ricoh
  产品类型:低压差线性稳压器(LDO)
  输出类型:固定正电压
  输出电压:1.9V ±2%
  输出电流:最大150mA
  输入电压范围:2.3V 至 5.5V
  静态电流:典型值2.0μA
  关断电流:小于0.1μA
  电压精度:±2%(常温下)
  负载调整率:±50mV(Iout=1mA至100mA)
  线性调整率:±30mV(Vin变化时)
  压差电压:约180mV(Iout=60mA)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装/外壳:SOT-23-5
  引脚数:5
  安装类型:表面贴装
  输出电容要求:≥1.0μF(陶瓷电容)
  PSRR(1kHz):典型值60dB
  保护功能:过流保护、热关断
  极性:正极性
  调节类型:固定式

特性

RP115H191D-T1-FE具备多项先进特性,使其在众多LDO产品中脱颖而出。首先,其超低静态电流仅为2.0μA,显著延长了电池供电设备的工作寿命,非常适合用于需要长期运行而无需频繁更换电池的应用,如智能传感器节点、无线通信模块和便携式医疗设备。这一低功耗特性得益于先进的CMOS设计技术,能够在维持高性能的同时最大限度地降低自身能耗。其次,该器件具有优异的瞬态响应性能,即使在负载电流快速变化的情况下也能保持输出电压的稳定,有效防止因电压波动引起的系统误操作或复位问题。这主要归功于内部补偿电路的优化设计以及对外部输出电容的低依赖性。
  另一个关键特性是其高电源抑制比(PSRR),在1kHz频率下可达60dB以上,意味着它能够有效滤除来自输入电源的纹波和噪声,为敏感模拟电路或数字核心提供干净的供电电压。这对于音频放大器、ADC/DAC参考电压源以及RF前端电路尤为重要。此外,RP115H191D-T1-FE支持使用仅1μF的小型陶瓷电容器作为输出滤波元件,不仅节省了PCB面积,还降低了物料成本,并避免了使用电解电容可能带来的老化和可靠性问题。
  该LDO还集成了完整的保护机制,包括过电流保护和热关断功能。当输出短路或过载时,内部限流电路会自动限制输出电流,防止器件损坏;若芯片温度超过安全阈值,热关断电路将关闭输出,待温度下降后自动恢复工作,提升了整个系统的鲁棒性。其1.9V的精确输出电压精度控制在±2%以内,保证了下游电路的稳定运行。SOT-23-5的小型封装使得其非常适合高密度集成设计,同时具备良好的散热性能。综合来看,RP115H191D-T1-FE是一款兼顾效率、稳定性与紧凑性的理想电源管理解决方案。

应用

RP115H191D-T1-FE广泛应用于各类对电源效率和稳定性有较高要求的电子产品中。常见应用包括便携式消费类设备,如蓝牙耳机、智能手环、电子标签和小型遥控器,这些设备通常依赖纽扣电池或锂离子电池供电,要求电源管理器件具备极低的静态功耗以延长待机时间。在物联网(IoT)领域,该LDO常用于Wi-Fi模组、Zigbee节点、LoRa终端等无线传感设备中,为MCU、传感器和射频收发器提供稳定的1.9V电源,确保数据采集和传输的准确性与可靠性。
  在工业自动化和测量仪器中,RP115H191D-T1-FE可用于为精密传感器信号调理电路、ADC参考电压源或低功耗微控制器供电,其高PSRR和低噪声特性有助于提升系统测量精度。此外,在医疗电子设备如血糖仪、体温计、心率监测器等手持式诊断工具中,该器件也发挥着重要作用,保障设备在长时间使用中的电源稳定性与安全性。
  通信设备中的某些子系统,例如光纤接收模块、光模块偏置电路或接口电平转换部分,也可能采用此类高精度LDO进行局部供电。由于其支持小型陶瓷电容且无需前馈电容,简化了外围电路设计,降低了设计复杂度,因此也受到嵌入式开发工程师的青睐。总之,任何需要从较高电压源(如3.3V或5V)降压至1.9V并要求高效率、低噪声、小体积的场景,都是RP115H191D-T1-FE的理想用武之地。

替代型号

XC6206P191MR-G
  XC6502PB19ER-G
  RT9161-19GB
  ME6211C19M5G-N
  TPS78319DBVR

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RP115H191D-T1-FE参数

  • 现有数量100现货
  • 价格1 : ¥10.26000剪切带(CT)1,000 : ¥4.67693卷带(TR)
  • 系列RP115x
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出配置
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)5.25V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)1.9V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)0.27V @ 1A
  • 电流 - 输出1A
  • 电流 - 静态 (Iq)160 μA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR75dB(1kHz)
  • 控制特性使能
  • 保护功能过流,超温,反向电流
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-89-5/6
  • 供应商器件封装SOT-89-5