时间：2025/9/26 11:28:08
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RP114N131D-TR-FE是一款由RICOH（理光）公司生产的高性能、低噪声、低压差（LDO）线性稳压器，专为需要高精度输出电压和低静态电流的便携式电子设备设计。该器件属于RP114系列，采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的电源抑制比（PSRR）和负载瞬态响应能力，适用于对电源噪声敏感的应用场景，如射频模块、音频电路、传感器系统和微控制器供电等。RP114N131D-TR-FE的固定输出电压为1.3V，输出电压精度高达±2%，确保在各种工作条件下都能提供稳定可靠的电源。该LDO的最大输出电流可达300mA，同时保持极低的静态电流（典型值为75μA），有效延长电池供电设备的工作时间。此外，该器件内置过流保护和热关断功能，提高了系统的安全性和可靠性。封装方面，RP114N131D-TR-FE采用小型化的DFN(PLP)1010-4封装，尺寸仅为1.0mm×1.0mm×0.4mm，非常适合空间受限的高密度印刷电路板设计。由于其无电容设计（Capless Design），无需外部补偿电容即可稳定工作，进一步简化了外围电路设计，减少了元件数量和PCB占用面积，降低了整体成本。
型号：RP114N131D-TR-FE
制造商：RICOH
产品系列：RP114
输出类型：固定正电压
输出电压：1.3V
输出电压精度：±2%
最大输出电流：300mA
输入电压范围：2.0V ~ 6.0V
压差电压（典型值）：180mV @ 300mA
静态电流（IQ）：75μA（典型值）
关断电流：0.1μA（最大值）
电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz（典型值）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：DFN(PLP)1010-4
安装方式：表面贴装
引脚数：4
RP114N131D-TR-FE的核心特性之一是其卓越的低噪声性能与高电源抑制比（PSRR）。该LDO在1kHz频率下可实现高达70dB的PSRR，能够有效滤除来自输入电源的纹波和噪声，确保输出电压的纯净度，这对于射频前端、高精度模拟信号链以及音频处理电路至关重要。在现代无线通信设备中，电源噪声可能干扰接收灵敏度或导致发射信号失真，因此使用高PSRR的稳压器有助于提升系统整体性能。
另一个显著特点是其“无电容”（Capless）设计。传统LDO通常需要外接输出电容以保证环路稳定性，而RP114N131D-TR-FE内部集成了补偿电路，无需外部电容即可稳定工作。这不仅减少了BOM成本和PCB布局复杂度，还提升了系统在高温、高湿等恶劣环境下的可靠性，因为陶瓷电容可能因老化或机械应力导致性能下降或失效。此外，省去输出电容使得启动过程更加可控，避免了大容量电容带来的浪涌电流问题。
该器件还具备快速负载瞬态响应能力，在负载电流快速变化时仍能维持输出电压稳定，防止系统出现复位或误操作。其低至180mV的压差电压（在300mA负载下）意味着即使输入电压接近输出电压时也能继续工作，从而延长电池使用寿命，特别适合单节锂离子电池供电的应用。同时，75μA的超低静态电流显著降低了待机功耗，使设备在睡眠模式下能耗更低。集成的过流保护和热关断功能可在异常情况下自动切断输出，防止芯片损坏，增强了系统的鲁棒性。
RP114N131D-TR-FE广泛应用于对空间、功耗和电源质量要求严苛的便携式和嵌入式电子产品中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表和健康监测手环）中的传感器模块供电，这些设备通常采用多节电池或单一锂电池供电，且内部集成大量对电源噪声敏感的模拟和射频组件。
在物联网（IoT）终端设备中，例如无线传感器节点、智能家居控制器和远程监控装置，该LDO因其低静态电流和小封装优势成为理想的电源解决方案，有助于实现长时间待机和紧凑结构设计。此外，它也常用于蓝牙模块、Wi-Fi模组、NFC芯片等无线通信子系统的供电管理，确保射频信号的清晰传输与接收。
在工业自动化和医疗电子领域，RP114N131D-TR-FE可用于为高精度ADC、DAC、运算放大器和MCU内核供电，提供稳定、低噪声的参考电压源。其无电容设计简化了PCB布局，尤其适用于多层板或柔性电路板（FPC）上难以布置额外元件的情况。消费类电子产品如TWS耳机、电子书阅读器、便携式游戏机等也普遍采用此类高性能LDO来优化电池续航和音质表现。总之，任何需要高效、小型化、低噪声电源管理的场合都可考虑使用RP114N131D-TR-FE作为核心稳压器件。
RP114K131D-TR-FE
XC6223B131MR-G
RT9064-13GB
