RP114N121D-TR-FF 是一款高性能的 N 沤道逻辑电平场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于需要高效能和低损耗的应用场景。其封装形式为 TO-277A,适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度电路板设计。
这款 MOSFET 的额定电压为 120V,能够承受较高的漏源电压,同时具备良好的热稳定性和可靠性,确保在各种严苛环境下的正常运行。
型号:RP114N121D-TR-FF
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-277A
额定电压(Vds):120V
额定电流(Id):85A
导通电阻(Rds(on)):3.6mΩ(典型值,@Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):59nC(最大值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
总功耗:170W
RP114N121D-TR-FF 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合,例如 DC-DC 转换器、逆变器等。
3. 较小的栅极电荷(Qg),降低驱动功耗,提高整体能效。
4. 宽广的工作温度范围,适应极端环境条件,保证系统的可靠运行。
5. 稳定的电气特性和优异的热性能,支持长时间持续运行。
6. 表面贴装封装,简化了 PCB 设计和制造流程。
RP114N121D-TR-FF 广泛应用于多种电力电子领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中作为功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. 工业设备中的负载切换和保护电路。
6. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)和牵引逆变器。
RP114N120D-TR-FF, IRFZ44N, FDP150N10ATL