时间：2025/7/16 15:22:12
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RP114K311D-TRB 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET。该器件采用小型化 SOT26 封装，适合用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其设计优化了功率转换、负载开关以及其他相关应用中的性能表现。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：4.4A
导通电阻(Rds(on))：0.19Ω (在 Vgs=4.5V 时)
总功耗(Ptot)：870mW
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
RP114K311D-TRB 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，使其非常适合高频开关应用。
3. 小型化的 SOT26 封装，节省 PCB 空间。
4. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 支持逻辑电平驱动，简化了与微控制器或其他数字电路的接口设计。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 各类负载开关应用，例如便携式设备中的电池管理。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 保护电路，如过流保护或短路保护。
6. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
RP114K311DTR, BSS138, AO3400
