M29F200B-120M1R是一款闪存芯片,属于STMicroelectronics(意法半导体)推出的M29F200B系列。该系列主要应用于需要大容量存储和高性能的设备中,例如嵌入式系统、工业控制、通信设备等。M29F200B采用3V供电,支持JEDEC标准的命令集,并提供高达2MB的存储容量。其封装形式为TSOP-II(Thin Small Outline Package),适合高密度安装。
存储容量:2MB
电压范围:2.7V - 3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:TSOP-II
编程时间:典型值为2ms/字节
擦除时间:典型值为4s/块
数据保持时间:超过10年
写入/擦除周期:至少10万次
M29F200B-120M1R具备以下显著特性:
1. 高可靠性的闪存技术,确保数据在长时间内不会丢失。
2. 支持快速编程和擦除操作,适用于实时数据更新的应用场景。
3. 具有低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低。
4. 提供多种块大小选择,便于用户灵活分配存储空间。
5. 兼容JEDEC标准的命令集,易于与现有系统集成。
6. 可靠的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
7. 支持软件保护功能,可防止未经授权的数据访问或修改。
M29F200B-120M1R广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式系统的代码存储和数据记录。
2. 工业自动化设备中的程序存储。
3. 通信设备中的固件升级和配置文件存储。
4. 医疗设备的数据记录和固件存储。
5. 消费类电子产品中的非易失性存储解决方案。
6. 物联网设备中的数据日志记录功能。
该芯片以其高可靠性和大容量存储能力,成为许多关键应用的理想选择。
M29F200BT-120I1R, M29F200BB-120T1R