您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IAUC60N04S6N044

IAUC60N04S6N044 发布时间 时间:2025/5/8 0:03:26 查看 阅读:9

IAUC60N04S6N044是一款高压MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于Infineon Technologies的CoolMOS系列。该器件采用先进的超级结技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。
  这款MOSFET的设计旨在提高效率并降低系统损耗,同时提供出色的热性能和可靠性。其额定电压为600V,能够承受较高的漏源电压,适合于需要高电压耐受能力的应用场景。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:4.4A
  导通电阻:180mΩ
  栅极电荷:23nC
  输入电容:900pF
  总电容:57pF
  反向恢复时间:9ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IAUC60N04S6N044具备以下主要特性:
  1. 超低导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关特性,可显著降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
  4. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设计需求。
  5. 小型封装选项,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 极高的电压耐受能力,使其适用于工业级和汽车级应用。

应用

IAUC60N04S6N044广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)电路。
  2. DC-DC转换器和逆变器。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业设备中的高频开关应用。
  5. 电动车和混合动力车中的车载充电器和驱动电路。
  6. LED照明驱动电路。

替代型号

IPA60N04S6N044, IRFS7444TRPBF, FDP067N06L

IAUC60N04S6N044推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价