类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：110A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

RDD104-S 具备多项优异的电气特性和设计优势，使其在电源管理应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其典型的Rds(on)值仅为4.5mΩ，支持更高的电流承载能力并减少热量产生。
　　其次，RDD104-S 的最大漏源电压（Vds）为100V，最大连续漏极电流（Id）为110A，在同类产品中具备较高的电气性能。这种高电流和高电压的特性使其非常适合用于高功率应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源开关等。
　　此外，该器件的栅源电压（Vgs）范围为±20V，具有较强的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路。同时，其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和使用。
　　RDD104-S 的工作温度范围为-55°C至+175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，能够在严苛的环境条件下稳定工作。这一特性使其广泛应用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中。

RDD104-S 适用于多种高功率和高效能的电源管理场景。常见的应用包括但不限于：电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源模块）、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化控制系统。在这些应用中，RDD104-S 能够提供高效的功率控制，降低能量损耗，并提高系统的整体稳定性与可靠性。

RFD15N05LLSM, IPP110N10N3G, FDP104-S