型号：RP112Q402D-TR-FE
　　制造商：RICOH
　　产品系列：RP112
　　器件类型：低压差线性稳压器（LDO）
　　输出电压：4.0V（典型值）
　　输出电压精度：±1.0%
　　最大输出电流：300mA
　　输入电压范围：2.0V 至 6.0V
　　静态电流：典型值 55μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　压差电压：典型值 180mV @ Iout=100mA
　　电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DFN1210-6
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：6
　　保护功能：过流保护、热关断
　　调节类型：固定式
　　输出电容类型：陶瓷电容兼容
　　使能功能：有（Active High 或 Active Low 可选）

RP112Q402D-TR-FE具备卓越的电气性能和稳定性，其核心优势在于高精度输出电压控制和极低的静态功耗，这使其在电池供电系统中表现尤为出色。该LDO在全负载范围内能够维持±1.0%的输出电压精度，确保下游电路获得高度稳定的电源供应，避免因电压波动导致的功能异常或性能下降。其低至55μA的静态电流显著延长了电池寿命，特别适合用于长时间运行的便携式设备。
　　该器件具有优异的瞬态响应能力，在负载电流快速变化时仍能保持输出电压稳定，有效抑制电压过冲和下冲现象。这一特性对于动态功耗变化较大的应用（如无线通信模块在发射/接收模式切换时）至关重要。同时，高达70dB的电源抑制比（PSRR）使其能够有效滤除来自输入端的高频噪声和纹波，为敏感模拟电路（如ADC、RF前端）提供“干净”的电源轨。
　　RP112Q402D-TR-FE采用CMOS工艺设计，支持低至2.0V的输入电压，兼容多种电池供电场景，包括单节锂离子电池、两节碱性电池等。其最大输入电压可达6.0V，具备一定的过压耐受能力。内部集成的PMOS传输晶体管实现了较小的压差电压（典型值180mV @ 100mA），提高了能量转换效率，减少了发热问题。
　　安全保护方面，芯片内置热关断电路，当结温超过安全阈值时自动关闭输出以防止损坏；同时具备过电流保护机制，在短路或过载情况下限制输出电流，保障系统安全。此外，该LDO支持使能（Enable）引脚控制，允许外部MCU对其进行开关操作，进一步优化系统功耗管理。
　　封装上采用DFN1210-6小型无铅封装，尺寸紧凑（约1.2mm x 1.0mm），便于高密度布局，并具有良好的散热性能。该器件兼容陶瓷输出电容器，无需额外的ESR考虑，简化了外围电路设计。整体设计兼顾性能、效率、尺寸与可靠性，是现代低功耗电子系统中的理想电源解决方案。

RP112Q402D-TR-FE广泛应用于各类对电源稳定性、体积和功耗有严格要求的消费类电子和工业设备中。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的辅助电源轨管理；在物联网（IoT）节点、无线传感器网络和智能家居设备中，为Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线模块提供稳定供电；也可用于便携式医疗设备，如血糖仪、心率监测器等，确保精密测量电路的准确运行。
　　在嵌入式系统中，该LDO常被用作微控制器（MCU）、DSP或FPGA的I/O电源或核心逻辑电源的后级稳压器，尤其是在主电源经过DC-DC转换后仍存在纹波的情况下，RP112Q402D-TR-FE可作为“净化”级稳压器提升电源质量。其低噪声特性也使其适用于音频编解码器、摄像头模组、LCD偏压电源等对噪声敏感的模拟电路供电。
　　此外，在工业控制、自动化仪表和便携式测试仪器中，由于其宽输入电压范围和高可靠性，RP112Q402D-TR-FE可用于为传感器信号调理电路、ADC参考电压源或接口电路（如I2C、SPI总线）供电。其小型封装特性也适合用于空间受限的模块化设计，如M.2或mini PCIe扩展卡中的局部稳压需求。总之，凡是需要高精度、低噪声、低功耗且小尺寸LDO的应用场合，RP112Q402D-TR-FE都是一个极具竞争力的选择。

RP112K402D-TR-FE
　　XC6206P402MR-G
　　XC6502PB402ER-G
　　MIC5205-4.0YM5-TR
　　TPS78240DDCR