时间：2025/6/20 10:27:06
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CBR06C130F1GAC是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
型号：CBR06C130F1GAC
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
持续漏极电流(I_D)：130A
导通电阻(R_DS(on))：1.4mΩ（在V_GS=10V时）
总功耗(P_TOT)：250W
工作温度范围(T_J)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
CBR06C130F1GAC的主要特点是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，它还具备快速开关速度和良好的热稳定性，使其能够胜任高功率密度的应用场景。
该器件采用了优化的芯片设计以降低寄生电感和电容，从而提高了抗干扰能力及动态性能。同时，其大电流承载能力和宽广的工作温度范围确保了其在恶劣环境下的可靠性。
CBR06C130F1GAC适用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器、充电器等；
2. DC-DC转换器中的同步整流电路；
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制；
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器；
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
CBR06C130F1GA, IRF1405Z, FDP158N06L
