时间：2025/9/26 12:53:21
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RP112N311B-TR-FE是一款由Ricoh（理光）公司生产的高性能、低功耗、高精度的电压稳压器（LDO，Low Dropout Regulator），广泛应用于需要稳定电源供应的小型便携式电子设备中。该器件采用CMOS工艺制造，具有超低静态电流和出色的瞬态响应性能，适用于对功耗敏感的应用场景，例如电池供电设备、移动通信设备、可穿戴电子产品以及各类嵌入式系统。RP112N系列属于固定输出电压型LDO，其中RP112N311B的标称输出电压为3.1V，输出精度在常温下可达±1.0%，确保了系统供电的稳定性与可靠性。
该芯片封装形式为DFN(PLP)1612-6，尺寸仅为1.6mm x 1.2mm，厚度薄，非常适合高密度PCB布局和空间受限的设计需求。其工作温度范围通常为-40°C至+85°C，满足工业级应用要求。RP112N311B-TR-FE采用环保无铅材料，并符合RoHS指令标准，适合现代绿色电子产品设计。此外，该器件支持陶瓷电容作为输出电容器，有效减小外部元件体积并提升整体系统的稳定性。
型号：RP112N311B-TR-FE
制造商：Ricoh
产品类型：低压差线性稳压器（LDO）
输出电压：3.1V（固定）
输出电压精度：±1.0%（Ta=25°C）
最大输出电流：300mA
输入电压范围：2.0V ~ 6.0V
压差电压（典型值）：180mV @ Iout=150mA
静态电流（典型值）：3.0μA
关断电流（最大值）：0.1μA
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：DFN(PLP)1612-6
引脚数：6
输出电容类型：陶瓷电容兼容
保护功能：过流保护、热关断保护
调节类型：固定输出
PSRR（电源抑制比）：65dB @ 1kHz（典型值）
RP112N311B-TR-FE具备多项先进特性，使其在同类LDO产品中表现出色。首先，其极低的静态电流（典型值仅为3.0μA）显著延长了电池供电设备的工作时间，特别适用于物联网终端、无线传感器节点等对能效要求极高的应用场景。其次，该器件拥有优异的负载调整率和线路调整率，即使在输入电压波动或负载电流快速变化的情况下，也能维持稳定的输出电压，保障后级电路的正常运行。
该LDO采用先进的CMOS工艺与反馈控制架构，确保了良好的瞬态响应能力，能够迅速应对负载突变带来的电压扰动。同时，它支持小型陶瓷电容器（推荐值为1.0μF）作为输出电容，无需额外的ESR（等效串联电阻）要求，简化了外围电路设计并节省PCB空间。其压差电压低至180mV（在150mA负载下），意味着即使在电池电压逐渐下降时仍能持续提供稳定输出，最大限度地利用电池能量。
集成的过流保护和热关断功能增强了系统的安全性和可靠性，在异常工作条件下可自动限制电流或关闭输出，防止芯片损坏。此外，高达65dB的电源抑制比（PSRR）使其在噪声敏感的应用中表现优异，能有效抑制来自输入电源的高频干扰，为精密模拟电路或射频模块提供干净的供电轨。DFN小型封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合自动化贴片生产。
RP112N311B-TR-FE广泛应用于多种低功耗、高性能的电子系统中。常见应用包括便携式消费类电子产品，如智能手环、TWS耳机、蓝牙音箱等，这些设备依赖电池长期运行，对电源效率和体积有严格要求。在无线通信模块中，如Wi-Fi、BLE、ZigBee模组，该LDO可用于为MCU、传感器或射频前端提供稳定电源。
在工业自动化与传感器领域，该器件适用于各类低功耗传感器节点、数据采集系统及远程监控装置，尤其是在使用纽扣电池或能量采集技术供电的场合。医疗电子设备如便携式健康监测仪、血糖仪等也常采用此类高精度、低噪声的稳压器来保证测量精度和系统稳定性。
此外，该芯片还可用于数字逻辑电路的电源管理，例如为微控制器（MCU）、ASIC、FPGA的I/O供电或作为系统中的辅助电源轨。由于其出色的温度稳定性和长期可靠性，RP112N311B-TR-FE同样适用于汽车电子中的非动力总成类模块，如车载信息娱乐系统、车内传感器网络等。总之，凡是需要小尺寸、低功耗、高稳定性的电压调节解决方案，该LDO都是理想选择。
RP112K311B-TR-FE,R117Q311B-TR-FE,XC6206P311MR-G
