时间：2025/6/27 10:17:08
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GA1210A821GBEAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和功率转换等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），从而提高了生产效率并减少了安装空间需求。
型号：GA1210A821GBEAR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vdss)：120V
最大漏电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263 (DPAK)
GA1210A821GBEAR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少电磁干扰（EMI）问题。
3. 出色的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流（DC-DC）转换器的核心元件。
3. 电动工具、家用电器和其他消费类电子产品的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理和电池保护模块。
IRLZ44N, FDN340P, AO3400
