工作输入电压范围：2.0V～6.0V
　　输出电压精度：±1.0%（常温下）
　　标称输出电压：4.5V
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值2.0μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　压差电压：典型值110mV（Iout=150mA）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DFN(PLP)1515-6（1.5×1.5×0.55mm）
　　引脚数：6
　　调节类型：固定输出
　　线路调整率：±0.1%/V
　　负载调整率：±15mV（0mA至300mA）
　　电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz

RP112K451D-TR具备多项先进特性，使其在同类LDO产品中表现出色。首先，其采用专有的CMOS技术与反馈环路设计，实现了极高的输出电压精度（±1.0%），即使在环境温度变化或输入电压波动的情况下也能维持稳定的输出，这对于精密模拟电路、ADC参考电压源或微控制器核心供电至关重要。其次，该器件拥有非常低的静态电流（典型值2.0μA），这在长期运行的电池供电设备中极为关键，有助于最大限度地降低待机功耗，延长续航时间。同时，在关断模式下，通过使能引脚（EN）控制，电流消耗可降至0.1μA以下，实现真正的节能休眠状态。
　　另一个重要特性是其优异的瞬态响应能力。当负载电流发生快速跳变（例如从10mA跃升至200mA），RP112K451D-TR能迅速调整内部驱动晶体管的工作状态，将输出电压波动控制在极小范围内（通常小于±50mV），从而避免系统复位或数据错误。这种快速响应得益于优化的内部补偿电路和高增益误差放大器设计。
　　该LDO还集成了全面的保护功能以增强系统鲁棒性。内置热关断电路可在芯片结温超过安全阈值（通常约150°C）时自动关闭输出，防止因过热导致永久性损坏；过电流保护则限制最大输出电流，避免短路或过载引发故障。此外，它还具备防止反向电流的功能，即在输入端电压突然下降时阻止电流从输出端倒灌回输入端，保护电源路径安全。
　　RP112K451D-TR采用无铅环保DFN(PLP)1515-6封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合回流焊工艺，并符合RoHS和AEC-Q100等工业标准。其小型化设计极大节省了PCB空间，特别适用于高度集成的移动设备。值得一提的是，该系列支持高PSRR（电源抑制比），在1kHz频率下可达70dB，有效滤除来自前级电源（如开关电源）的纹波噪声，为敏感电路提供“干净”的直流电压。综上所述，这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于使用的电源解决方案。

RP112K451D-TR因其高精度、低功耗和小尺寸等特点，广泛应用于各类对电源管理要求较高的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手表、无线耳机、健康监测设备等，这些设备依赖电池长时间运行，因此需要高效的电压调节方案来减少能量损耗。在物联网（IoT）节点和无线传感器网络中，该LDO用于为MCU、RF收发模块（如BLE、ZigBee、LoRa）和传感器（如加速度计、温湿度传感器）提供稳定的工作电压，确保信号采集和通信的准确性。
　　在工业控制领域，RP112K451D-TR可用于为PLC模块、远程I/O单元或现场仪表中的低功耗处理器和接口电路供电，尤其适用于存在电源噪声干扰的环境中，其高PSRR特性可有效隔离干扰。此外，在医疗电子设备中，如便携式血糖仪、脉搏血氧仪等，该器件为精密测量电路提供基准电源，保障检测结果的可靠性。
　　在汽车电子方面，虽然该型号未明确标注车规级认证，但在部分非关键车载模块（如车载信息娱乐系统的辅助电源、车内环境传感器供电）中仍有使用。另外，它也适用于各类嵌入式主板、FPGA辅助电源轨、存储器模块供电以及需要从较高电压（如5V系统）降压至4.5V供特定芯片使用的场合。由于其支持高达300mA的输出电流，足以满足多数低功耗数字和模拟负载的需求，因此在多电源域系统中常被用作次级稳压器。

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　　 "XC6206P451MR-G",
　　 "ME6211C45M5G-N",
　　 "RT9193-45GB",
　　 "MIC5205-4.5YM5-TR",
　　 "TPS7A0545DDCR"
　　]