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MP20K400BC652 发布时间 时间:2025/12/25 3:08:28 查看 阅读:9

MP20K400BC652 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高功率应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
  最大集电极电流(Ic):20A
  最大功耗(Ptot):300W
  导通压降(Vce_sat):2.1V @ Ic=20A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  栅极电压范围:-20V 至 +20V

特性

MP20K400BC652 具备优异的热稳定性和电气性能,采用先进的沟道技术,提供较低的开关损耗和导通损耗,从而提高了整体效率。其高耐压能力和大电流处理能力使其适用于各种高功率密度应用。该器件还具有良好的短路耐受能力,增强了系统的可靠性。此外,MP20K400BC652 的 TO-247 封装设计便于安装和散热管理,适用于工业级工作环境。
  这款IGBT在设计上优化了电磁干扰(EMI)性能,减少了外部滤波需求,降低了系统成本。其栅极驱动要求较低,简化了驱动电路的设计。此外,该器件具备良好的并联能力,可在更高功率的应用中使用多个器件并联以分担负载,提高系统灵活性和可扩展性。

应用

MP20K400BC652 常用于工业电机驱动、逆变器、UPS(不间断电源)、电焊机、电动汽车充电系统以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)等高功率应用场合。其高可靠性和高效能特性使其成为工业自动化和电力转换系统中的理想选择。

替代型号

SGW20N120HD、FGA20N120D、IXGH20N120BD3

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