时间：2025/9/4 10:18:55
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RM15TRD-12P(71) 是由Renesas Electronics生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块采用先进的封装技术，具有良好的热管理和电气性能，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。RM15TRD-12P(71) 通常用于逆变器、电源转换器以及电机控制等应用。
类型：MOSFET模块
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极驱动电压：10V至20V
RM15TRD-12P(71) 是一款高性能的MOSFET模块，具有出色的电气特性和热管理能力。其主要特点包括低导通电阻、高耐压能力和大电流处理能力。该模块采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定的工作状态。此外，RM15TRD-12P(71) 还具有较低的开关损耗，适用于需要高频工作的电力电子系统。
该模块的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗，提高了系统的整体效率。其高耐压能力（1200V）使其能够在高压环境下可靠工作，适用于各种高功率应用。RM15TRD-12P(71) 的大电流处理能力（15A）使其能够在高负载条件下稳定运行，适用于需要高功率输出的系统。
该模块的封装设计优化了散热性能，能够有效地将热量从芯片传导到外部环境，确保模块在高功率应用中的稳定性。RM15TRD-12P(71) 的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），使其能够在各种环境条件下可靠工作。此外，该模块的栅极驱动电压范围较宽（10V至20V），提供了灵活的驱动选择，适用于不同的应用需求。
RM15TRD-12P(71) 主要应用于高功率电力电子系统，如逆变器、电源转换器和电机控制系统。该模块的高耐压能力和大电流处理能力使其适用于需要高功率输出的场合。RM15TRD-12P(71) 还可用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及太阳能逆变器等应用。由于其良好的热管理和电气性能，RM15TRD-12P(71) 在各种高功率应用中提供了可靠的性能。
IXFH15N120Q2 | IRFP4668 | STW15NK120Z | FGL15N120D | FF15R12W1S4_B11
