RP111N281D 时间：2025/4/28 19:47:15 阅读：2

RP111N281D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用 N 沟道增强型设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合高频应用环境。
　　这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，具体封装方式可能因制造商而略有不同。RP111N281D 在设计上注重效率优化，能够显著降低系统的能量损耗。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：67A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　栅极电荷：11nC
　　开关时间：典型值开启时间为 13ns，关断时间为 34ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

RP111N281D 具有以下特点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗并提升系统效率。
　　2. 快速的开关速度，支持高频工作条件下的高效切换。
　　3. 高耐压能力，在 30V 的最大漏源电压下确保器件的安全运行。
　　4. 稳定的工作性能，即使在极端温度范围内也能保持良好的电气特性。
　　5. 小巧紧凑的封装形式，便于 PCB 布局和空间优化。
　　6. 出色的热性能，能够承受较高的结温，延长使用寿命。

应用

RP111N281D 广泛应用于需要高效功率转换的领域，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
　　4. 电池管理系统中的负载开关。
　　5. 各种工业设备中的功率调节模块。
　　其低损耗和高效率的特点使其成为众多功率应用的理想选择。