型号：RP111H071D-T1-YE
　　制造商：Nisshinbo Micro Devices
　　封装类型：DFN2020-6
　　引脚数：6
　　输出电压：1.8V（固定）
　　输出电压精度：±2%
　　最大输出电流：300mA
　　输入电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　压差电压（Typical）：180mV @ 300mA
　　静态电流（IQ）：2.0μA（典型值）
　　关断电流：0.1μA（最大值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　保护功能：过流保护、热关断
　　稳定性要求：支持陶瓷输出电容
　　使能功能：有（高电平有效）

RP111H071D-T1-YE具备多项关键特性，使其成为高性能电源管理解决方案的理想选择。首先，其超低静态电流（典型值仅为2.0μA）显著降低了在轻载或待机状态下的功耗，这对于依赖电池供电且要求长续航时间的应用至关重要，例如智能手表、无线传感器节点和便携式医疗设备。这种低功耗特性得益于其先进的CMOS制造工艺和优化的内部电路设计，在保证性能的同时最大限度地减少了能量损耗。
　　其次，该LDO具有优异的瞬态响应能力。由于采用了高速反馈环路设计，并支持使用小型陶瓷电容器作为输出滤波元件，它能在负载电流快速变化时迅速调整输出电压，保持电压稳定，避免因电压跌落或过冲导致系统复位或数据错误。这一特性特别适用于微处理器、FPGA或射频模块等动态负载变化频繁的电路中。
　　再者，RP111H071D-T1-YE提供高精度的输出电压调节，精度可达±2%，确保下游电路获得稳定可靠的供电，提升了整个系统的运行稳定性。同时，其低压差特性（在300mA负载下压差仅为180mV左右）意味着即使输入电压接近输出电压时仍能正常工作，从而在电池放电末期也能持续为负载供电，提高了电池利用率。
　　此外，芯片集成了完善的保护机制，包括过电流保护和热关断功能。当输出短路或过载时，过流保护会限制电流以防止损坏；若芯片温度超过安全阈值（通常为150°C），热关断电路将自动关闭输出，待温度下降后恢复正常操作，增强了系统的鲁棒性和安全性。最后，其小型DFN2020-6封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合高密度贴装，满足现代电子产品小型化、轻量化的设计趋势。

RP111H071D-T1-YE广泛应用于各类对电源效率、体积和稳定性要求较高的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如TWS耳机、智能手环、电子标签和蓝牙音箱，该LDO用于为MCU、传感器或无线通信模块提供干净稳定的1.8V电源，确保设备长时间稳定运行。在物联网（IoT）领域，诸如无线传感网络节点、智能家居控制器和远程监控设备常采用电池供电，因此对电源管理芯片的静态功耗极为敏感，RP111H071D-T1-YE的微安级静态电流特性使其成为理想的电源解决方案。
　　在工业自动化和测量仪器中，该器件可用于为高精度ADC、DAC、运放或其他模拟前端电路提供低噪声、低纹波的偏置电压，提升信号采集的准确性和系统信噪比。在通信模块方面，如Wi-Fi模组、NB-IoT模块或LoRa收发器中，RP111H071D-T1-YE能够为基带处理单元或射频IC提供稳定的电源轨，保障数据传输的可靠性。
　　此外，在医疗健康类设备中，如血糖仪、体温计、心率监测仪等低功耗便携式仪器中，该LDO因其高可靠性和低噪声表现而被广泛应用。其使能控制功能也便于系统实现多电源域管理或睡眠/唤醒模式切换，配合主控MCU进行精细化电源调度，进一步降低整机功耗。总之，任何需要高效、紧凑、可靠的1.8V稳压电源的场合，RP111H071D-T1-YE都是一个极具竞争力的选择。

RP111K071D-FTR
　　XC6206P182MR-G
　　MIC5205-1.8YM5-TR
　　TPS70918DBVR
　　RT9193-18GB
　　AP2112K-1.8TRG1