类型：CMOS LDO稳压器
　　输出类型：固定
　　输出电压：2.6V
　　输出电流：300mA
　　输入电压范围：2.5V ~ 6.0V
　　静态电流：典型值3.0μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　压差电压：典型值110mV（Iout=100mA）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装：DFN(PLP)1515-6

RP109N261B-TR-FE的核心优势之一是其超低静态电流，仅为3.0μA，这使得它非常适合用于长时间运行且依赖电池供电的设备，如可穿戴设备、物联网传感器节点、无线通信模块等。在这些应用中，延长电池寿命至关重要，而该LDO在轻载或待机状态下的极低功耗表现尤为突出。其静态电流几乎不随负载变化而显著增加，从而在整个工作范围内都保持高能效。
　　该器件采用了先进的CMOS工艺制造，具备良好的热稳定性和长期可靠性。内部集成的基准电压源和误差放大器确保了高精度的输出电压调节，输出电压精度在常温下可达±2%，即使在输入电压波动或温度变化的情况下也能维持较高的稳定性。这对于微控制器、传感器、RF模块等对电源噪声敏感的电路尤为重要。
　　RP109N261B-TR-FE具有优异的瞬态响应能力，能够在负载电流从零迅速上升到满载时快速调整输出电压，防止出现大的电压跌落或过冲现象。这一特性得益于其内部频率补偿电路的优化设计，配合仅需1.0μF的小型陶瓷输出电容器即可实现稳定工作，大大降低了外部元件的成本与PCB占用面积。
　　该LDO还支持使能（Enable）功能，允许用户通过外部信号控制芯片的开启与关闭。当使能端拉低时，器件进入关断模式，此时电流消耗低于0.1μA，几乎完全切断输出，有助于实现系统的低功耗管理模式。这一功能在需要分时供电或多电源域控制的系统中非常实用。
　　安全性方面，RP109N261B-TR-FE集成了多重保护机制，包括过电流保护和过温保护。当输出短路或过载时，电流限制电路会自动限制输出电流，防止器件损坏；当结温超过安全阈值时，热关断电路将关闭输出，待温度下降后自动恢复工作，提高了系统在异常情况下的鲁棒性。

RP109N261B-TR-FE广泛应用于各类低功耗便携式电子产品中。例如，在智能手表、健身追踪器、TWS耳机等可穿戴设备中，该LDO可用于为MCU、传感器或蓝牙模块提供稳定且高效的电源管理方案，有效延长设备续航时间。
　　在物联网（IoT）领域，该器件适用于各种无线传感器节点、智能家居终端、远程监控设备等，尤其是在使用纽扣电池或能量采集供电的场景下，其超低静态电流特性能够最大限度地减少待机功耗，提升能源利用效率。
　　此外，该LDO也可用于工业控制中的低功耗传感器接口电路、医疗电子设备中的便携式监测仪器、以及消费类电子产品中的备用电源或辅助电源轨。由于其封装小巧（DFN1515-6），适合高密度布局的PCB设计，特别适合追求小型化和轻量化的现代电子设备。
　　在汽车电子中，虽然该器件的工作温度上限为+85°C，限制了其在高温环境下的使用，但在座舱内的非动力系统模块，如车载信息娱乐系统的辅助电源、车内传感器供电等方面仍有应用潜力。只要确保散热良好且环境温度可控，RP109N261B-TR-FE仍可作为可靠的低压电源解决方案。

RP109K261B-TR-F
　　XC6223B261MR-G