容量：256MB
　　组织结构：x16位
　　电压：1.8V ± 0.15V
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装：TSOP
　　频率：166MHz
　　接口类型：同步
　　工艺：CMOS
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　数据保持电压：1.5V
　　

H8BCZ0CI0MBR-36M-C 是一款高性能、低功耗的SDRAM芯片，具备多种先进特性。首先，该芯片采用1.8V电源电压，支持低功耗运行，适用于对能效有较高要求的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在严苛工业环境下的稳定性和可靠性，特别适合汽车电子、工业控制和通信设备等应用场景。
　　其次，该芯片支持同步接口，工作频率高达166MHz，提供高达266MB/s的数据传输速率，能够满足高带宽应用的需求。此外，H8BCZ0CI0MBR-36M-C 支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，以适应不同的系统需求，同时在低功耗模式下仍能保持数据完整性。
　　在封装方面，H8BCZ0CI0MBR-36M-C 采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和空间效率，适用于紧凑型设计。此外，其CMOS工艺提供了高集成度和低漏电流，进一步降低了功耗，同时提高了抗干扰能力，适用于复杂电磁环境中的应用。

H8BCZ0CI0MBR-36M-C 主要应用于对高性能和低功耗有较高要求的电子系统中。其高带宽和低功耗特性使其适用于嵌入式系统、网络设备、工业自动化、消费类电子产品以及汽车电子系统。在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）以及车载导航系统等，确保在高温环境下稳定运行。
　　此外，H8BCZ0CI0MBR-36M-C 也适用于图像处理设备、视频监控系统、数据通信设备等需要大量数据缓存的应用。由于其支持多种刷新模式，能够在不同的电源管理模式下保持数据，因此也非常适合便携式设备和电池供电系统。在工业自动化和控制系统中，该芯片可以作为主存储器或高速缓存，提高系统的响应速度和处理能力。
　　对于需要长时间稳定运行的设备，如服务器、工业计算机和嵌入式控制器，H8BCZ0CI0MBR-36M-C 提供了可靠的存储解决方案。其高可靠性和宽温度范围特性，使其能够在恶劣环境下保持稳定运行，是工业和通信设备的理想选择。

H8BCZ0CI0MBR-36M-C 的替代型号包括：H8BCZ0CI0MBR-36A-C、H8BCZ0CI0MBR-36S-C、H8BCZ0CI0MBR-36E-C 等。这些型号在性能和封装上与 H8BCZ0CI0MBR-36M-C 相似，可根据具体应用需求选择合适的型号。