RP109N111B-TR-FE是一款由Ricoh(理光)公司生产的高性能、低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于需要低噪声、高稳定性和高精度电压输出的便携式电子设备中。该器件属于RP109系列,采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的电源抑制比(PSRR)、低静态电流以及快速的瞬态响应能力,适合为微处理器、传感器、射频模块以及其他对电源质量要求较高的电路提供稳定供电。RP109N111B-TR-FE的封装形式为DFN(PLP2220-6),具有较小的占板面积和良好的散热性能,适用于空间受限的高密度PCB设计场景。该型号为固定输出电压版本,输出电压为1.1V,出厂时已精确设定并经过激光修调,确保了±1%的高输出电压精度。此外,该LDO支持高达300mA的输出电流,输入电压范围宽达1.8V至5.5V,使其能够兼容多种电池供电系统或主板电源轨。器件内部集成了过温保护和过流保护功能,增强了系统的安全性和可靠性。RP109N111B-TR-FE采用无铅环保材料制造,符合RoHS标准,并且支持卷带包装(-TR-FE表示卷带编带规格),便于自动化贴片生产。
型号:RP109N111B-TR-FE
制造商:Ricoh(理光)
类型:低压差线性稳压器(LDO)
输出电压:1.1V(固定)
输出电压精度:±1%
最大输出电流:300mA
输入电压范围:1.8V ~ 5.5V
静态电流:典型值4.0μA
关断电流:≤0.1μA
压差电压:约110mV @ 300mA(VIN-VOUT)
电源抑制比(PSRR):70dB @ 1kHz(典型值)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:DFN(PLP2220-6)
引脚数:6
安装方式:表面贴装(SMD)
环保标准:符合RoHS、无卤素
RP109N111B-TR-FE具备多项先进特性,使其在同类LDO产品中表现出色。首先,其超低静态电流(典型值仅为4.0μA)显著延长了电池供电设备的工作时间,非常适合用于可穿戴设备、物联网终端、无线传感器节点等对功耗极为敏感的应用场合。其次,该器件拥有极高的输出电压精度,在全负载、全温度范围内均可保持±1%的稳定性,确保下游精密模拟或数字电路获得可靠的参考电压。其内部采用CMOS结构与反馈环路优化设计,实现了快速的负载瞬态响应,即使在输出电流发生突变时也能维持电压稳定,避免系统出现复位或误操作。
另一个关键特性是优异的电源抑制比(PSRR),在1kHz频率下可达70dB以上,有效滤除来自输入端的开关噪声或纹波干扰,特别适用于为RF模块、ADC/DAC转换器等噪声敏感型电路供电。此外,该LDO具有极低的输出电压噪声(通常小于30μVRMS),进一步提升了电源纯净度。器件内置了全面的保护机制,包括热关断保护和电流限制功能,当芯片温度过高或发生短路时会自动切断输出,防止损坏器件本身或外部电路。
RP109N111B-TR-FE还支持使能控制功能(EN引脚),允许用户通过逻辑信号开启或关闭稳压器输出,实现系统的低功耗待机模式。当进入关断模式时,电流消耗低于0.1μA,几乎完全切断电源路径。其采用的DFN小型封装不仅节省空间,而且底部带有裸露焊盘,有助于提高散热效率,保证长时间高负载运行下的可靠性。整体设计兼顾高性能、小型化与节能需求,满足现代电子产品的发展趋势。
RP109N111B-TR-FE广泛应用于各类需要高效、稳定、低噪声电源管理的电子系统中。常见应用包括便携式消费类电子产品,如智能手表、TWS耳机、健康监测设备等,这些设备依赖电池供电且对体积和功耗有严格要求,该LDO的低静态电流和小封装优势尤为突出。在物联网(IoT)领域,该器件常用于无线传感器节点、智能家居控制器、NB-IoT模块中,为MCU、传感器和通信芯片(如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee)提供干净的电源轨。
此外,在工业自动化和测量仪器中,RP109N111B-TR-FE可用于为高精度ADC、DAC、运算放大器等模拟前端电路供电,凭借其低噪声和高PSRR特性,有效提升信号采集的准确性和系统信噪比。在移动通信设备中,该LDO也适合作为基带处理器、内存模块或摄像头模组的辅助电源解决方案。由于其支持宽输入电压范围,可直接连接3.3V或5V主电源轨,无需额外降压预调节,简化了电源架构设计。同时,其快速启动能力和稳定的输出特性也使其适用于需要频繁唤醒和休眠的低功耗嵌入式系统。总之,任何对电源质量、尺寸和能耗有较高要求的应用场景,都是RP109N111B-TR-FE的理想选择。
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"XC6219B111MR-G",
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"MIC5205-1.1YM5-TR",
"TPS7A0511DRYR"
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