CL32A476KOJNNWE 是一款由 Cypress Semiconductor(现为 Infineon Technologies)生产的高性能、低功耗 SRAM 存储芯片。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造,具有高可靠性与快速访问时间的特点,广泛应用于需要高效数据缓存和临时存储的场景。
该型号中的具体参数可以通过名称解析得出部分特性:例如 'CL' 表示 Cypress 的产品系列代码,'32A' 指代特定密度与架构类型,'476K' 通常表示容量或组织方式等信息。
容量:512K x 18 bits (9Mb)
工作电压:1.7V to 1.9V
访问时间:4ns
封装类型:FBGA-160
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
I/O 电压:1.7V to 1.9V
CL32A476KOJNNWE 属于高速同步静态随机存取存储器 (SRAM),具有以下特点:
1. 超低功耗设计,特别适合对能效要求较高的应用。
2. 支持快速访问时间,能够满足实时处理任务的需求。
3. 提供多种工作模式以适应不同应用场景,例如掉电保护模式。
4. 高可靠性和宽温范围使其适用于工业级和汽车级环境。
5. 引脚兼容性好,便于系统升级或替换其他类型的 SRAM 器件。
6. 内置奇偶校验功能,可增强数据完整性检查能力。
这款 SRAM 主要应用于需要高性能数据缓冲的领域,包括但不限于:
1. 网络通信设备中的数据包缓存。
2. 工业自动化控制系统中的临时数据存储。
3. 医疗成像设备中的图像处理缓冲。
4. 汽车电子系统的实时数据记录。
5. 图形处理单元 (GPU) 的帧缓冲区。
6. 测试测量仪器中的高速数据采集缓存。
CY62148EV30FI, IS61WV51216BLL-45T, AS6C1008-55PCN