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RP109K111D-TR 发布时间 时间:2025/12/28 5:52:36 查看 阅读:50

RP109K111D-TR是一款由RICOH(理光)公司生产的高性能低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于需要高精度、低噪声和低功耗的便携式电子设备中。该器件属于RP109系列,采用先进的CMOS工艺制造,具有出色的电源抑制比(PSRR)、低静态电流和快速瞬态响应能力。RP109K111D-TR的最大输入电压可达6.5V,适用于多种电池供电系统。其固定输出电压为1.1V,非常适合为现代低电压微处理器、传感器、FPGA内核及其它对电源稳定性要求较高的集成电路提供稳定电源。该LDO在满载条件下可提供高达300mA的输出电流,并具备过流保护和热关断功能,确保系统在异常情况下的安全运行。封装形式为小型DFN(PLP)1010-4封装,尺寸仅为1.0mm x 1.0mm,厚度0.55mm,适合高度集成和空间受限的应用场景,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等。
  该型号后缀“-TR”表示产品以卷带包装形式供应,适用于自动化贴片生产线,便于大规模生产使用。RP109K111D-TR的工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级应用需求。由于其优异的负载调整率和线路调整率,即使在输入电压波动或负载变化较大的情况下,也能保持输出电压的高度稳定。此外,该器件无需外接补偿电容,仅需一个小型陶瓷电容器即可实现稳定工作,简化了外围电路设计,降低了整体BOM成本。综合来看,RP109K111D-TR是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的先进LDO解决方案。

参数

型号:RP109K111D-TR
  制造商:RICOH
  产品系列:RP109
  器件类型:低压差线性稳压器(LDO)
  输出电压:1.1V(典型值)
  输出电压精度:±2%
  最大输出电流:300mA
  输入电压范围:1.8V ~ 6.5V
  压差电压:300mV @ 300mA
  静态电流:通常为70μA
  关断电流:≤1μA
  电源抑制比(PSRR):60dB @ 1kHz
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  存储温度范围:-55°C ~ +125°C
  封装类型:DFN(PLP)1010-4
  安装方式:表面贴装
  引脚数:4
  无铅状态:符合RoHS指令
  工作结温:-40°C ~ +125°C
  输出电容建议值:≥1.0μF(陶瓷电容)
  保护功能:过流保护、热关断

特性

RP109K111D-TR具备多项先进特性,使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先,它采用了高速响应架构设计,在负载电流发生突变时能够迅速调整输出电压,维持系统稳定。这一特性对于动态功耗管理极为重要,尤其是在移动设备进入待机或唤醒模式时,可以有效防止电压跌落导致系统复位或数据丢失。其次,该器件拥有极高的电源抑制比(PSRR),在1kHz频率下可达60dB以上,能够在存在开关电源噪声干扰的复杂电源环境中为敏感模拟电路或射频模块提供干净的供电轨,显著提升系统信噪比和信号完整性。
  另一个关键特性是其超低静态电流,典型值仅为70μA,这使得它特别适用于长期运行且依赖电池供电的设备,如智能手表、健康监测仪和无线传感器节点。即便在轻载或空载状态下,也能最大限度地延长电池续航时间。同时,其关断模式下的电流消耗低于1μA,配合使能(EN)引脚控制,可实现精确的电源域管理,进一步优化整机功耗。
  RP109K111D-TR还具备良好的热管理和保护机制。内部集成的热关断电路可在芯片温度超过安全阈值时自动切断输出,避免因过热造成永久性损坏;过流保护功能则限制最大输出电流,防止短路或过载引发故障。这些保护措施增强了系统的鲁棒性和长期可靠性。此外,该LDO设计简洁,无需外部补偿元件,仅需最小1.0μF的陶瓷输出电容即可保证环路稳定性,减少了PCB占位面积和外部元件数量,提升了设计灵活性和生产良率。最后,其微型DFN封装不仅节省空间,而且具有优良的散热性能,适合高密度布局的现代电子产品。

应用

RP109K111D-TR主要应用于对体积、功耗和电源质量有严格要求的便携式和嵌入式电子设备。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的传感器供电模块,例如为加速度计、陀螺仪、环境光传感器等低电压MEMS器件提供精准稳定的1.1V电源。在可穿戴设备领域,如智能手环、TWS耳机和医疗监控贴片,该LDO凭借其小封装和低静态电流优势,成为理想的电源管理单元组成部分。
  在物联网(IoT)终端设备中,RP109K111D-TR可用于为Wi-Fi、蓝牙或Zigbee无线模块的基带处理器或RF前端供电,保障通信链路的稳定性和抗干扰能力。在工业传感和自动化控制系统中,它可以为低功耗MCU、ADC/DAC转换器以及精密放大器提供噪声敏感型电源轨,确保测量精度不受电源波动影响。
  此外,该器件也适用于FPGA或ASIC的内核电压调节,特别是在需要多路不同电压等级供电的设计中,RP109K111D-TR可作为辅助LDO用于生成1.1V核心电压。在消费类电子产品如数码相机、电子书阅读器和智能家居控制器中,它同样发挥着重要作用,支持系统在待机模式下实现超低功耗运行,从而提升用户体验。总之,任何需要高精度、低噪声、小尺寸和高效率电压调节的场合,都是RP109K111D-TR的理想用武之地。

替代型号

RP109K111D-FE
  XC6210B111MR-G
  XC6223B111MR
  RT9064-11GB
  MIC5205-1.1YM5-TR

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RP109K111D-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥2.14647卷带(TR)
  • 系列RP109x
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 输出配置正
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)5.25V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)1.1V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)0.82V @ 150mA
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 静态 (Iq)70 μA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR75dB(1kHz)
  • 控制特性使能
  • 保护功能过流
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳4-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装DFN(PL)0808-4