时间：2025/4/3 11:07:34
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PST809A280NM 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 技术的功率晶体管，专为高效率、高性能的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺，能够在高频开关条件下提供低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
该器件具有出色的热稳定性和可靠性，适合需要高效功率转换和严格温控的环境。此外，其封装形式也优化了散热性能，便于系统集成。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：28mΩ
栅极电荷：25nC
开关时间（开启/关闭）：12ns/35ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
主要特点是低导通电阻和高效率，这使其在功率转换应用中表现优异。它具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频应用场景，降低开关损耗。
3. 良好的热稳定性，支持长时间高温运行，适用于严苛的工作条件。
4. 高度可靠的封装设计，确保长期使用中的机械强度和电气性能。
5. 支持宽泛的工作温度范围，从 -55℃ 到 +175℃，满足工业级需求。
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动及控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 电动车充电装置中的功率管理模块。
5. 各类工业自动化设备中的功率切换电路。
6. LED 照明驱动器及其他消费类电子产品中的电源解决方案。
PST809A250NM
PST808A280NM
IRF840
FDP15N10
