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ROS-835+ 发布时间 时间:2025/12/28 12:30:47 查看 阅读:14

ROS-835+ 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET,主要用于过压保护和电源管理应用。该器件属于 Rad-Hard(抗辐射)系列,专为在高可靠性要求的航天、卫星通信以及军事等极端环境中使用而设计。ROS-835+ 能够承受高强度的电离辐射,并保持稳定的电气性能,确保在空间辐射环境下长期可靠运行。其封装形式通常采用陶瓷扁平封装,具备良好的热稳定性和机械强度,适合在温度变化剧烈的空间应用中使用。
  该器件的工作电压范围较宽,支持负向电压控制,适用于高端驱动配置下的电源开关场景。由于其 P 沟道特性,在关断状态下能够有效隔离负载与电源之间的连接,防止反向电流流动,从而实现对后级电路的有效保护。此外,ROS-835+ 具备较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高系统整体效率。其设计符合 NASA 和 ESA 对于航天电子元器件的严格筛选标准,包括但不限于低剂量率敏感度增强效应(ELDRS)测试、总电离剂量(TID)耐受性测试以及单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)防护能力评估。

参数

制造商:Littelfuse
  产品类别:MOSFET
  技术类型:P 沟道
  漏源电压(Vds):-100 V
  栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):-1.7 A(@ 25°C)
  脉冲漏极电流(Idm):-5.1 A
  导通电阻 Rds(on):4.5 Ω(@ Vgs = -10 V, Id = -1 A)
  阈值电压(Vgs(th)):-3.0 V ~ -5.0 V
  输入电容(Ciss):约 220 pF(@ Vds = -50 V)
  功耗(Pd):20 W
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:Ceramic Flatpack
  抗辐射能力:≥ 100 krad(Si) TID,具备 SEL 防护

特性

ROS-835+ 的核心优势在于其卓越的抗辐射性能,使其能够在地球轨道、深空探测及其他高辐射环境中稳定运行。该器件经过专门的工艺优化,能够在高达 100 krad(Si) 的总电离剂量下保持功能完整性,且不会出现明显的参数漂移或失效现象。这种级别的抗辐射能力是通过使用特殊的栅氧结构和体硅材料实现的,同时在制造过程中采用了屏蔽层设计以抑制电荷积累效应。此外,该器件还通过了低剂量率辐照测试(LDR),避免了 ELDRS 效应带来的早期退化问题,这在长期太空任务中至关重要。
  另一个显著特性是其优异的单粒子效应抗扰度。ROS-835+ 在设计上具有较高的临界线性能量传输(LET)阈值,能够抵抗来自宇宙射线和太阳粒子事件引发的单粒子锁定(SEL)、单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)。这一特性使得它非常适合用于关键任务系统中的电源开关和负载切换模块。器件内部还集成了保护机制,如反向电流阻断和瞬态电压抑制能力,进一步增强了系统的鲁棒性。
  从电气性能来看,ROS-835+ 提供了相对较低的导通电阻和可控的开关速度,能够在保证高效能的同时避免因快速切换引起的电磁干扰问题。其 P 沟道结构允许在高端配置中直接由逻辑信号驱动,简化了驱动电路设计。此外,陶瓷封装不仅提供了出色的气密性,还能在极端温度循环条件下保持连接可靠性,防止湿气侵入和金属迁移等问题。

应用

ROS-835+ 主要应用于对可靠性要求极高的航空航天与国防领域。典型用途包括卫星电源管理系统中的主电源开关、太阳能阵列调节器、电池充电控制器以及轨道姿态控制系统中的配电单元。在这些系统中,器件需要长时间暴露于高能粒子和伽马射线环境中,因此必须具备强大的抗辐射能力和长期稳定性。ROS-835+ 正是为此类严苛条件量身打造的理想选择。
  此外,该器件也广泛用于深空探测器、火星车、空间站模块以及其他载人或无人航天器的电子系统中,承担关键负载的供电控制任务。由于其具备 SEL 和 SEB 防护能力,即使在遭遇突发性的太阳耀斑或宇宙射线暴时也能维持正常工作,避免系统崩溃或灾难性故障。在地面应用方面,虽然成本较高,但某些核反应堆监测设备、放射性环境机器人以及高海拔飞行器的电子系统也会选用 ROS-835+ 来提升整体安全性与寿命。

替代型号

RHFL4N03

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