工作电压范围：1.0V ~ 6.0V
　　检测电压：1.1V（固定）
　　检测电压精度：±2%（在标准条件下）
　　静态电流：典型值0.45μA（@VDD = 3V, Ta = 25°C）
　　输出类型：N沟道开漏输出
　　复位延迟时间：典型值180ms
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-23（SC-70）
　　迟滞电压：约2.5% VDET
　　最大耐压：7V（绝对最大额定值）
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C

RN5VM111E-TR的核心特性之一是其高精度的电压检测能力，检测电压设定为1.1V，精度可达±2%，这意味着在各种工作条件和环境变化下，芯片仍能保持非常稳定的检测性能，从而确保系统在电源电压异常时及时响应。这一特性对于低电压工作的嵌入式系统尤为重要，例如在单节锂电池供电的设备中，当电池电量下降至临界值时，必须准确判断是否已低于MCU正常运行所需的最低电压，避免数据损坏或程序跑飞。该芯片采用CMOS工艺，使其静态电流极低，典型值仅为0.45μA，在待机或休眠模式下几乎不增加系统功耗，显著延长了电池使用寿命。
　　另一个关键特性是其内置的复位延迟功能，延迟时间典型值为180ms，这使得在电源上电或电压恢复后，能够为MCU提供足够的时间完成初始化操作，确保系统稳定启动。延迟时间由内部电路自动控制，无需外接定时电容，简化了电路设计并提高了可靠性。同时，芯片具有约2.5%的迟滞电压（Vhys），即释放电压比检测电压高出一定比例，有效防止了在阈值附近因电压波动或噪声干扰而引起的频繁复位振荡现象，增强了系统的稳定性。
　　RN5VM111E-TR采用N沟道开漏输出结构，允许用户通过外接上拉电阻连接到任意逻辑电平（只要不超过最大耐压），从而实现与3.3V、5V甚至更低电压逻辑系统的无缝接口。这种灵活性使其适用于多电压域系统中的电源监控任务。此外，SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产。整体而言，RN5VM111E-TR以其高精度、低功耗、小尺寸和高可靠性，成为现代电子系统中理想的电压监控解决方案。

RN5VM111E-TR被广泛应用于各类需要电源电压监控的电子设备中，尤其适用于低功耗和便携式产品。在便携式消费类电子产品中，如智能手表、无线传感器节点、蓝牙耳机和可穿戴设备中，它用于监测电池电压，当电量不足时触发复位或告警，防止系统在不稳定电压下运行。在物联网（IoT）终端设备中，由于这些设备通常长期处于低功耗待机状态，对电源管理要求极高，RN5VM111E-TR的亚微安级静态电流使其成为理想选择，能够在不影响续航的前提下持续监控电源状态。
　　在工业控制系统中，该芯片可用于PLC模块、远程I/O单元和传感器变送器中，确保在电源波动或断电重启时MCU能够正确复位，避免程序错乱或通信中断。在医疗电子设备中，如便携式血糖仪、心率监测仪等，其高可靠性和稳定性有助于保障设备在关键时刻的正常运行。此外，在汽车电子辅助系统中，如车载记录仪、胎压监测系统（TPMS）和无钥匙进入模块中，RN5VM111E-TR可用于监控备用电源或主控芯片的供电情况。
　　在嵌入式开发板和微控制器最小系统中，该器件常作为外部复位电路的一部分，弥补某些MCU内部复位电路精度不足的问题，提升系统启动的可靠性。同时，它也适用于FPGA、DSP和其他数字逻辑电路的上电复位（Power-on Reset, POR）设计。由于其宽电压工作范围和良好的温度适应性，RN5VM111E-TR可在恶劣环境条件下稳定工作，满足工业级和汽车级应用需求。总之，凡是对电源稳定性有较高要求且注重功耗控制的电子系统，均可考虑采用RN5VM111E-TR实现精准可靠的电压监控功能。

RN5VL11AA-TL
　　R3111N111A-TR
　　MAX811TEUS-T
　　TCM810LACB713