MHW803是一种高压、高电流MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。该器件设计用于在极端工作条件下提供稳定性能,具有低导通电阻和快速开关特性。MHW803通常采用TO-247或类似的大功率封装形式,以确保良好的热管理和高耐用性。这种MOSFET常用于工业电源、电机控制、逆变器、开关电源(SMPS)以及其他高功率应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):约20A(25°C时)
最大漏源电压(VDS):约600V
导通电阻(RDS(on)):约0.25Ω
最大功耗(PD):约200W
工作温度范围:-55°C至150°C
栅极电荷(Qg):约60nC
漏极电容(Coss):约150pF
MHW803的主要特性之一是其高耐压能力,能够承受高达600V的漏源电压,这使其适用于高电压应用,如电源供应器和电机驱动器。此外,该器件的低导通电阻(RDS(on))可以显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。MHW803还具有快速开关能力,确保在高频操作下仍能保持较低的开关损耗,从而提高系统的响应速度和能效。其高电流处理能力(ID可达20A)使其适合用于需要大功率输出的场合。MHW803的封装设计优化了散热性能,确保在高功率负载下仍能保持稳定运行。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下工作而不影响性能。最后,MHW803的高可靠性使其成为工业和电力电子应用中的首选元件。
MHW803广泛应用于多种高功率电子设备中。其最常见的应用之一是作为开关元件用于开关电源(SMPS)中,以实现高效的电能转换。此外,MHW803也常用于电机控制和驱动电路,例如在电动工具、工业自动化设备和机器人系统中,用于控制电机的启停和调速。在逆变器和UPS(不间断电源)系统中,MHW803可作为功率开关,用于将直流电转换为交流电。它还常用于LED照明驱动电路、电池充电器以及各种功率放大器中。在新能源领域,MHW803也可用于太阳能逆变器和风力发电系统中,以实现高效的能量转换。
IRF840、STP20N60、FQA20N60