工作频率范围：DC ~ 4 GHz
　　耦合系数：30 dB
　　方向性：典型值40 dB
　　插入损耗：典型值3.5 dB
　　输入VSWR：最大1.5:1
　　输出VSWR：最大1.5:1
　　隔离度：典型值40 dB
　　功率容量：最大100 mW（连续波）
　　阻抗：50 Ω
　　封装类型：表贴式（SMD）
　　尺寸：2.0 mm × 1.25 mm × 0.85 mm
　　工作温度范围：-55°C ~ +105°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

RMS-30+ 混合式耦合器的核心特性之一是其宽频带操作能力，覆盖从直流到4 GHz的整个频率范围，使其能够兼容多种射频和中频应用场景，包括GSM、WCDMA、LTE以及Wi-Fi等无线通信系统。这种宽带特性得益于其内部基于传输线变压器的无源结构设计，能够在不牺牲性能的前提下实现平坦的频率响应。器件的30 dB高耦合系数非常适合用于对主信号路径影响极小的取样任务，例如在发射链路中提取一小部分信号用于功率检测或自动电平控制（ALC），同时保持主通道信号完整性。
　　另一个显著特性是其优异的方向性表现，典型值可达40 dB，这意味着它能有效区分正向和反向传播的信号，从而提高反射测量精度，在驻波比（VSWR）监测和故障诊断系统中发挥重要作用。高方向性结合良好的端口匹配（输入/输出VSWR ≤1.5:1）减少了信号反射带来的干扰，提升了系统整体稳定性。此外，该器件具有低插入损耗（典型3.5 dB），这在级联系统中尤为重要，有助于维持信噪比和动态范围。
　　RMS-30+ 采用微型表贴封装，尺寸仅为2.0 mm × 1.25 mm × 0.85 mm，极大节省了PCB空间，适用于高度集成的射频模块，如小型化收发器、毫米波前端和便携式测试仪器。其结构坚固，支持回流焊工艺，具备出色的机械强度和热循环耐受能力。工作温度范围宽达-55°C至+105°C，确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行，满足工业级和部分军用规格要求。由于其无源本质，无需供电即可工作，降低了系统复杂性和功耗。综合来看，RMS-30+ 凭借其宽带、高方向性、小体积和高可靠性，成为现代射频设计中不可或缺的关键元件。

RMS-30+ 被广泛应用于各类射频与微波系统中，特别是在需要高精度信号耦合与分离的场合。一个典型的应用是在发射机前端作为功率监测耦合器，将主信号路径中的一小部分能量耦合至检测电路，用于实时监控输出功率并实现闭环调节，从而保证发射功率的稳定性与合规性。在此类应用中，其高方向性可有效避免反射信号对检测结果的干扰，提升测量准确性。
　　在接收链路中，RMS-30+ 可用于本振（LO）信号的分配与隔离，确保混频器获得稳定且相位一致的驱动信号，同时防止负载变化对LO源造成影响。其良好的端口匹配和高隔离度有助于减少串扰，提升接收灵敏度。
　　此外，该器件常用于构建平衡式放大器或混频器结构，在这些电路中充当90度或180度相位分配网络，利用其对称性和幅度一致性来抑制偶次谐波并改善线性度。在矢量网络分析仪（VNA）和其他测试设备中，RMS-30+ 也作为参考通道和测试通道之间的信号分路单元，支持S参数测量中的方向性分离功能。
　　由于其宽频带特性，RMS-30+ 还适用于宽带通信系统、软件定义无线电（SDR）、雷达前端模块以及天线波束成形网络。在5G基础设施、卫星通信终端和物联网网关等现代电子设备中，该器件为实现高性能射频信号处理提供了可靠保障。

RMS-20+
　　RMS-10+
　　ZABT-31+