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RM75TPM-H 发布时间 时间:2025/9/29 13:31:16 查看 阅读:10

RM75TPM-H是一款由Richtek(立锜科技)生产的高效同步整流降压型DC-DC转换器,广泛应用于需要高效率、高集成度电源管理方案的电子设备中。该芯片采用电流模式控制架构,具备快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性,适用于从较高输入电压降至较低输出电压的电源转换场景。RM75TPM-H集成了上管和下管功率MOSFET,显著减少了外部元器件数量,简化了电源设计,同时提高了整体系统的可靠性与功率密度。其封装形式为紧凑型QFN,适合空间受限的应用场合。该器件在待机或轻载条件下可自动进入节能模式,以提升轻载效率并降低静态功耗,从而满足现代电子产品对节能环保的严苛要求。此外,RM75TPM-H内置多种保护机制,包括过流保护、过温保护和欠压锁定功能,确保系统在异常工作条件下仍能安全运行。凭借其高性能、高集成度和出色的热性能,RM75TPM-H成为工业控制、网络通信设备、消费类电子产品及嵌入式系统中理想的电源解决方案之一。

参数

类型:同步整流降压型DC-DC转换器
  输入电压范围:4.5V ~ 18V
  输出电压范围:0.6V ~ 5.5V(可调)
  最大输出电流:5A
  开关频率:典型值500kHz
  控制方式:峰值电流模式控制
  工作效率:最高可达95%以上
  静态电流:典型值30μA(关断模式)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:QFN-16(3mm x 3mm)
  集成MOSFET:内置上下管
  反馈参考电压:0.6V ±1%
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)

特性

RM75TPM-H采用先进的电流模式控制架构,能够实现快速的负载瞬态响应,有效应对输出负载突变带来的电压波动,从而维持稳定的输出电压。该控制方式通过实时监测电感电流来调节占空比,增强了系统的动态性能和稳定性。此外,芯片内部集成了高边和低边功率MOSFET,导通电阻低,减少了功率损耗,提升了整体转换效率。在轻载或待机状态下,RM75TPM-H可自动切换至脉冲跳跃模式(PSM),降低开关频率并减少不必要的能量消耗,显著提高轻载效率,延长电池供电设备的工作时间。
  该芯片具备精确的电压调节能力,反馈参考电压精度高达±1%,确保输出电压在整个工作温度和负载范围内保持高度稳定。其宽输入电压范围(4.5V至18V)使其兼容多种电源适配器和电池供电系统,如12V系统电源、USB PD输出等应用场景。RM75TPM-H还集成了软启动功能,可防止启动过程中产生过大的浪涌电流,保护输入电源和后级电路。
  在保护机制方面,芯片内置多重安全功能。当输出电流超过设定阈值时,过流保护(OCP)将启动,限制电流以防止损坏。若芯片结温过高,过温保护(OTP)会自动关闭输出,待温度下降后恢复正常工作。欠压锁定(UVLO)功能则确保芯片仅在输入电压达到正常工作范围后才启动,避免因电压不足导致的不稳定运行。这些特性共同提升了系统的可靠性和鲁棒性,使其适用于工业自动化、路由器、机顶盒、智能家电等多种严苛环境下的应用需求。

应用

RM75TPM-H适用于多种中等功率直流电源转换场合,尤其适合需要高效率、小尺寸电源模块的设计。常见应用包括网络通信设备如路由器、交换机和光猫中的板级电源系统;工业控制系统中的PLC、传感器供电单元;消费类电子产品如智能电视、机顶盒、安防摄像头等设备的主电源或辅助电源轨;以及嵌入式系统和小型工控主板上的核心电压供应。由于其支持宽输入电压范围和高达5A的持续输出电流,该芯片也可用于基于12V总线系统的分布式电源架构中,作为POL(Point-of-Load)转换器使用。此外,在需要电池供电且对效率有较高要求的便携式设备中,RM75TPM-H的节能模式和低静态功耗特性使其成为理想的降压电源解决方案。其高集成度和简化外围电路的特点也大大缩短了产品开发周期,降低了BOM成本,有助于加快产品上市时间。

替代型号

RT7275GQW

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RM75TPM-H参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭桥式整流器
  • 系列-
  • 电压 - 峰值反向(最大)800V
  • 电流 - DC 正向(If)150A
  • 二极管类型三相
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 包装散装
  • 供应商设备封装模块