类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：700V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：0.4Ω
　　封装类型：TO-247

RM700B的主要特性包括其高耐压能力，能够承受高达700V的漏源电压，使其适用于高电压输入的电源设计中。
　　此外，其连续漏极电流可达12A，表明其具备较强的电流承载能力，在高负载条件下依然保持稳定性。
　　导通电阻为0.4Ω，虽然不算特别低，但在同类器件中表现良好，能够在一定程度上减少导通损耗，提高整体能效。
　　该器件还具有良好的热稳定性和过温保护性能，能够在恶劣的工作环境下保持正常运行，并延长使用寿命。
　　RM700B的TO-247封装设计不仅有利于快速散热，还能提升安装便利性，使其在工业电源、电机驱动以及逆变器等应用中表现出色。
　　同时，该MOSFET具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统工作效率。

RM700B广泛应用于多种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、UPS不间断电源系统、电机控制模块以及LED照明驱动电路。
　　在工业自动化和控制系统中，它也常被用于高频开关电路和功率调节模块。
　　由于其高电压和大电流特性，RM700B特别适合于需要高效能、高可靠性和长寿命的电源管理系统。

IXFH12N70Q, FQA12N70, FQP12N70